[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有栅极(15、116)，其特征在于，具备：

源电极(25、120)；

漏电极(26、121)；以及

所述栅极，该栅极控制在所述源电极与所述漏电极之间流过的电流；

若将所述栅极与所述漏电极之间的电容设为第一电容(Cgd)，将所述栅极与所述源电极之间的电容设为第二电容(Cgs)，将所述第一电容与所述第二电容之和设为第三电容(Ciss)，

并且将用电流变化率(dI/dt)规定的第一开关损耗(Et(dI/dt))与用电压变化率(dV/dt)规定的第二开关损耗(Et(dV/dt))之和设为总开关损耗(Esum)，

则所述第一电容相对于所述第三电容的电容比(Cgd/Ciss)被设为所述总开关损耗低于规定阈值的比。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

若将Vd设为电源电压，将Id设为动作电流，将Vm设为栅极米勒电位，将Vth设为栅极的阈值电压，将gm设为Id/(Vm-Vth)，则所述电容比被设为下述数学式1以上且下述数学式2以下：

[数学式1]

Cgd/Ciss＝Id/(gm×Vd)

[数学式2]

Cgd/Ciss＝dI/dt/(gm×dV/dt)。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述电容比被设为下述数学式3：

[数学式3]

Cgd/Ciss＝1/gm×{(Id/Vd)×(dI/dt)/(dV/dt)}^1/2。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，具有：

第一导电型的漂移层(13)；

第一导电型的沟道层(14)，该第一导电型的沟道层(14)配置于所述漂移层上；

第一导电型的源极层(17)，该第一导电型的源极层(17)形成于所述沟道层的表层部，且杂质浓度比所述沟道层高；

作为所述栅极的第二导电型的栅极层(15)，该第二导电型的栅极层(15)在所述沟道层中形成得比所述源极层深；

第一导电型的漏极层(11)，该第一导电型的漏极层(11)隔着所述漂移层而配置于与所述源极层相反的一侧；

所述源电极，该源电极与所述源极层电连接；

所述漏电极，该漏电极与所述漏极层电连接；以及

屏蔽层(18)，该屏蔽层(18)配置于所述栅极层与所述漏电极之间，且与所述源电极电连接；

所述栅极层及所述屏蔽层被设为满足所述电容比的结构。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，具备：

第一导电型的漂移层(112)；

第二导电型的沟道层(113)，该第二导电型的沟道层(113)配置于所述漂移层上；

第一导电型的源极层(117)，该第一导电型的源极层(117)形成于所述沟道层的表层部，且杂质浓度比所述漂移层高；

栅极绝缘膜(115)，该栅极绝缘膜(115)配置于夹在所述源极层和所述漂移层之间的所述沟道层的表面；

作为所述栅极的栅电极(116)，该栅电极(116)配置于所述栅极绝缘膜上；

第一导电型的漏极层(111)，该第一导电型的漏极层(111)隔着所述漂移层而配置于与所述沟道层相反的一侧；

所述源电极，该源电极与所述沟道层及所述源极层电连接；以及

所述漏电极，该漏电极与所述漏极层连接；

在所述沟道层，在所述表层部形成有与所述源电极电连接的第二导电型的接触层(118)，

所述栅电极及所述接触层被设为满足所述电容比的结构。