[发明专利]成像设备和电子设备

权利要求书

1.一种成像设备，其包括：

光接收元件；和

读取电路，所述读取电路被构造为读取由所述光接收元件光电转换的电信号，

其中，所述读取电路中包括的场效应晶体管包括：

半导体层，在所述半导体层中形成沟道，

栅极电极，所述栅极电极被构造为覆盖所述半导体层，和

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜布置在所述半导体层和所述栅极电极之间，

所述半导体层包括：

主表面，和

第一侧面，所述第一侧面在所述场效应晶体管的栅极宽度方向上位于所述主表面的一个端侧上，

所述栅极电极包括：

第一部分，所述第一部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述主表面，和

第二部分，所述第二部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述第一侧面，并且

所述第一侧面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。

2.根据权利要求1所述的成像设备，

其中，所述半导体层还包括第二侧面，所述第二侧面在所述栅极宽度方向上位于所述主表面的另一端侧上，

所述栅极电极还包括第三部分，所述第三部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述第二侧面，并且

所述第二侧面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。

3.根据权利要求1所述的成像设备，其中，所述主表面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。

4.根据权利要求1所述的成像设备，其中，所述读取电路包括作为所述场效应晶体管的放大晶体管，所述放大晶体管被构造为放大所述电信号。

5.根据权利要求4所述的成像设备，其中，所述读取电路还包括作为所述场效应晶体管的选择晶体管，所述选择晶体管被构造为接通或关断所述放大晶体管和信号线之间的连接。

6.根据权利要求4所述的成像设备，其中，所述读取电路还包括作为所述场效应晶体管的复位晶体管，所述复位晶体管被构造为接通或关断浮动扩散部和电源线之间的连接，所述浮动扩散部用于临时保持从所述光接收元件输出的所述电信号。

7.根据权利要求1所述的成像设备，

其中，所述场效应晶体管包括多个所述半导体层，并且

所述多个半导体层在所述场效应晶体管的所述栅极宽度方向上间隔地并排布置。

8.一种电子设备，其包括：

光学部件；

成像设备，透过所述光学部件的光入射在所述成像设备上；和

信号处理电路，所述信号处理电路用于处理从所述成像设备输出的信号，

其中，所述成像设备包括：

光接收元件；和

读取电路，所述读取电路被构造为读取由所述光接收元件光电转换的电信号，

其中，所述读取电路中包括的场效应晶体管包括：

半导体层，在所述半导体层中形成沟道，

栅极电极，所述栅极电极被构造为覆盖所述半导体层，和

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜布置在所述半导体层和所述栅极电极之间，

所述半导体层包括：

主表面，和

第一侧面，所述第一侧面在所述场效应晶体管的栅极宽度方向上位于所述主表面的一个端侧上，

所述栅极电极包括：

第一部分，所述第一部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述主表面，和

第二部分，所述第二部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述第一侧面，并且

所述第一侧面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。