[发明专利]成像设备和电子设备

说明书

本发明提供了可以降低噪声的成像设备以及使用该成像设备的电子设备。该成像设备包括光接收元件和用于读取由光接收元件光电转换的电信号的读取电路。读取电路中包括的场效应晶体管具有形成有沟道的半导体层、覆盖半导体层的栅极电极以及布置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘膜。该半导体层具有主表面和第一侧面，该第一侧面在场效应晶体管的栅极宽度方向上位于主表面的一个端侧上。栅极电极具有隔着栅极绝缘膜面向主表面的第一部分和隔着栅极绝缘膜面向第一侧面的第二部分。第一侧面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。

技术领域

本发明涉及成像设备和电子设备。

背景技术

包括具有至少一个鳍部的栅极电极的固态成像设备是已知的(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP 2017-183636 A

发明内容

技术问题

希望降低成像设备中的噪声。

本发明是鉴于这种情况而提出的，并且其目的是提供一种能够降低噪声的成像设备以及使用该成像设备的电子设备。

问题的解决方案

根据本发明的一个方面的成像设备包括光接收元件和被构造为读取由光接收元件光电转换的电信号的读取电路。读取电路中包括的场效应晶体管包括形成有沟道的半导体层、被构造为覆盖半导体层的栅极电极以及设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘膜。半导体层包括主表面和在场效应晶体管的栅极宽度方向上位于主表面的一个端侧上的第一侧面。栅极电极包括被构造成隔着栅极绝缘膜面向主表面的第一部分以及被构造成隔着栅极绝缘膜面向第一侧面的第二部分。第一侧面的晶体平面为(100)平面或与(100)平面等效的平面。

据此，读取电路中包括的场效应晶体管可以降低上面形成有沟道的第一侧面的界面状态(interface state)，并可以降低在界面状态中捕获的电荷(例如，电子)。因此，成像设备可以降低由上述界面状态引起的噪声(例如，1/f噪声)。

根据本发明的一个方面的电子设备包括光学部件、透过光学部件的光入射到其上的成像设备以及被构造为处理从成像设备输出的信号的信号处理电路。成像设备包括光接收元件和被构造为读取由光接收元件光电转换的电信号的读取电路。读取电路中包括的场效应晶体管包括形成有沟道的半导体层、被构造为覆盖半导体层的栅极电极以及设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘膜。半导体层包括主表面和在场效应晶体管的栅极宽度方向上位于主表面的一个端侧上的第一侧面。栅极电极包括被构造成隔着栅极绝缘膜面向主表面的第一部分以及被构造成隔着栅极绝缘膜面向第一侧面的第二部分。第一侧面的晶体平面为(100)平面或与(100)平面等效的平面。

据此，电子设备可以使用能够降低噪声的成像设备。因此，可以实现电子设备的性能的改进。

附图说明

图1是示出根据本发明的第一实施例的成像设备的构造示例的示意图。

图2是示出根据本发明的第一实施例的像素单元的构造示例的电路图。

图3是示意地示出根据本发明第一实施例的成像设备中的复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管的第一布置示例的平面图。

图4是示意地示出根据本发明第一实施例的成像设备中的复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管的第二布置示例的平面图，

图5是示出根据本发明第一实施例的放大晶体管的构造示例的横截面图。

图6是示出根据本发明第一实施例的放大晶体管的构造示例的横截面图。

图7是示出根据本发明的第一实施例的成像设备的构造示例的横截面图。