[发明专利]均化装置在审
| 申请号： | 202080065843.3 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114746992A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 珍-查尔斯·洛雷茨;蒂希·迪伊·纽伦 | 申请（专利权）人： | 法国塞姆科智能科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 程强;谢攀 |
| 地址： | 法国卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化装 | ||
1.一种包括第一板(12)和第二板(14)以及用于使板面对面保持的装置(30)的装置，其中，所述第一板(12)包括至少十个贯通开口(24)，第二板未被开口穿过。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，两个板之间的间隔为10mm至50mm。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述第一板(12)和所述第二板(14)具有相同的尺寸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述第一板(12)和所述第二板(14)是平行的。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述第一板(12)和所述第二板(14)中的每个都内接在具有圆形底部的圆柱体内，所述圆形底部的直径为200mm至400mm。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，保持装置(30)完全容纳在第一板(12)与第二板(14)之间。
7.一种硅晶片掺杂、扩散或氧化设备(42)，所述设备包括炉(44)，所述炉设置有能够被门(60)紧密封闭的外壳(46)，所述晶片引入所述外壳中，所述炉包括：至少一根管(50)，其用于使至少一种气体进入外壳(46)；至少一根气体抽取管(52)；以及抽吸装置(54)，其连接到所述抽取管(52)，并配置为在外壳(46)中形成低压，所述设备还包括根据权利要求1至6中任一项所述的装置，所述装置被设置在入口管(50)的出口(75)与晶片之间，所述第一板(12)面向晶片，所述第二板(14)面向入口管(50)的出口。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，每个硅晶片(42)包括由边缘连接的两个相对的表面，并且其中，所述硅晶片基本上水平或垂直地设置在外壳(46)中。
9.一种对硅晶片(4)掺杂或扩散或氧化的方法，所述晶片被引入由门(60)紧密封闭的炉(44)的外壳中，所述炉包括：至少一根管(50)，其用于使至少一种气体进入外壳(46)；至少一根气体抽取管(52)；以及抽吸装置(54)，其连接到所述抽取管(52)，并在外壳(46)中形成低压，根据权利要求1至6中任一项所述的装置被设置在入口管(50)的出口(75)与晶片之间，所述第一板(12)面向晶片，所述第二板(14)面向入口管(50)的出口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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