[发明专利]均化装置

说明书

本发明涉及一种包括第一板和第二板(12、14)以及用于使板面对面保持的装置(30)的装置，其中，第一板(12)包含至少十个贯通开口(24)，而第二板未被开口穿过。

本专利申请要求法国专利申请19/10383的优先权，该专利申请将被视为本说明书的组成部分。

技术领域

本公开总体上涉及一种用于使用至少一种处理气体来处理部件(特别是硅晶片)的设备的均化装置。

背景技术

已知可以进行不同的硅晶片处理，特别是掺杂、扩散和氧化处理。此类处理通常包括将晶片引入炉中、将晶片保持在处理温度，以及将至少一种可能与载气混合的反应气体引入炉中。炉内的压力可以是大气压，也可以低于大气压。

所使用的水平或垂直炉通常具有管状外壳，该管状外壳的内部，硅晶片被布置在支撑件上。外壳的端部之一设有门，以允许引入晶片。外壳的另一端部由固定终端壁封闭。反应气体通常通过固定终端壁上的孔注入。

对引入炉的所有晶片，希望均匀地进行晶片处理。这意味着到达每个晶片的反应气体的流动基本上是均匀的。这种均匀分布可能很难实现，特别是对于最靠近引入反应气体的区域的晶片，尤其是当外壳中的压力低于大气压力时。

发明内容

因此，实施例的目的是至少部分地克服前述处理设备的缺点。

实施例的目的是提高到达布置在处理设备中设置的待处理部件的气流的均匀性。

实施例的另一个目的是使处理设备的外壳内的压力低于大气压。

为此，实施例提供了一种包括第一板和第二板以及用于使板面对面保持的装置的装置，其中第一板包括至少十个贯通开口，而第二板未被开口穿过。

根据一个实施例，两个板之间的间隔为10mm至150mm。

根据一个实施例，第一板和第二板具有相同的尺寸。

根据一个实施例，第一板和第二板是平行的。

根据一个实施例，第一板和第二板中的每个都内接在具有圆形底部的圆柱体内，该圆形底部的直径为200mm至400mm。

根据一个实施例，保持装置完全容纳在第一板与第二板之间。

实施例还提供了一种硅晶片掺杂、扩散或氧化设备，该设备包括炉，该炉设置有能够被门紧密封闭的外壳，在该外壳中引入所述晶片，所述炉包括：至少一根管，其用于让至少一种气体进入外壳；至少一根气体抽取管；以及抽吸装置，其连接到所述抽取管，并配置为在外壳中形成低压。该设备还包括如先前定义的装置，该装置被设置在入口管的出口与晶片之间，第一板面向晶片，而第二板面向入口管的出口。

根据一个实施例，每个硅晶片包括由边缘连接的两个相对的表面，并且硅晶片基本上水平或垂直地设置在外壳中。

实施例还提供了一种对硅晶片掺杂或扩散或氧化的方法，所述晶片被引入由门紧密封闭的炉的外壳中，所述炉包括：至少一根管，其用于使至少一种气体进入外壳；至少一根气体抽取管；以及抽吸装置，其连接到所述抽取管，并且在外壳中形成低压，如之前定义的装置被设置在入口管的出口与晶片之间，第一板面向晶片，第二板面向入口管的出口。

附图说明

上述特征和优点以及其他的特征和优点将在以下以图解方式给出的特定实施例的描述中详细描述，而不限于参考附图，在附图中：

图1是均化装置的实施例的立体图；

图2是图1所示的均化装置的变体的立体图；

图3是图2的均化装置的主视图；

图4是图2的均化装置的侧视图；

图5是处理设备的实施例的部分简化截面图；