[发明专利]光学滤波器及其制造方法在审
| 申请号： | 202080066290.3 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114514448A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 佐原启一;伊村正明;东条誉子 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/28 | 分类号： | G02B5/28 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 滤波器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有含氢化硅膜的光学滤波器，其特征在于，
在通过拉曼光谱法测定的所述含氢化硅膜的拉曼光谱中，根据由SiH引起的峰的面积与由SiH2引起的峰的面积之比求出的比(SiH/SiH2)为0.7以上。
2.一种具有含氢化硅膜的光学滤波器，其特征在于，
通过氢前向散射光谱法测定的所述含氢化硅膜中的氢原子含量与通过卢瑟福背散射光谱法测定的所述含氢化硅膜中的硅原子含量之比(H/Si)为0.4以下。
3.如权利要求1或2所述的光学滤波器，其特征在于，包括：
透明基板；和
滤波部，其设置在所述透明基板的一侧主面上，且由具有折射率相对高的高折射率膜和折射率相对低的低折射率膜的多层膜构成，
所述高折射率膜是所述含氢化硅膜。
4.如权利要求3所述的光学滤波器，其特征在于，
所述低折射率膜是含氧化硅膜。
5.如权利要求3或4所述的光学滤波器，其特征在于，
还包括设置在所述透明基板的另一侧主面上且含有氢化硅的防反射膜。
6.一种光学滤波器的制造方法，其制造权利要求1～5中任一项所述的光学滤波器，其特征在于，包括：
通过溅射法形成硅膜的工序；和
在形成所述硅膜的工序之后，对所述硅膜进行氢化的工序。
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