[发明专利]在线端部形成自对准顶部通孔

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

使第一奇数硬掩模和第一偶数硬掩模凹陷，以形成凹陷的奇数和偶数硬掩模；

在所述凹陷的奇数硬掩模上形成第一导电硬掩模，所述第一导电硬掩模包括第一导电硬掩模材料，并且在所述凹陷的偶数硬掩模上形成第二导电硬掩模；以及

至少部分地基于所述第一导电硬掩模和所述第二导电硬掩模，在对应于所述第一奇数和偶数导线的线端处形成自对准顶部通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二导电硬掩模被形成为具有沿所述第一奇数和偶数导线的方向的半圆形截面形状。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述凹陷的奇数和偶数硬掩模以及所述第一和第二导电硬掩模上形成附加的硬掩模材料；

在形成所述附加硬掩模材料之后执行平坦化工艺；以及

在平坦化工艺之后，基于非线端通孔图案化形成第三和第四导电硬掩模。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第三和第四导电硬掩模进一步包括：

形成通过所述附加硬掩模材料以及在所述第二偶数导线上形成的第二偶数硬掩模至第二偶数导线的开口；

形成通过所述附加硬掩模材料以及在所述第二奇数导线上形成的第二奇数硬掩模至第二奇数导线的开口；

在到所述第二偶数和奇数导线的所述开口内形成第二导电硬掩模材料；以及

在形成所述导电硬掩模材料之后执行平坦化工艺，以形成所述第三和第四导电硬掩模。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述自对准顶部通孔进一步包括：

去除所述奇数硬掩模和所述偶数硬掩模以及所述附加的硬掩模材料；以及

使用所述导电硬掩模部分地蚀刻所述第一奇数和偶数导线。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在第一奇数导线上形成第一奇数硬掩模并且在第一偶数导线上形成第一偶数硬掩模；

在所述第一奇数和偶数硬掩模以及第一奇和偶数导线的侧壁上形成第一介电层；以及

形成对应于所述第一偶数导线的第一切割区域及对应于所述第一奇数导线的第二切割区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一奇数硬掩模被形成为包括与所述第一偶数硬掩模不同的材料，以支持所述第一奇数和偶数硬掩模的选择性蚀刻。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第一切割区域进一步包括：

在所述第一奇数和偶数硬掩模上形成第一掩模材料；

将所述第一掩模材料图案化至所述第一奇数和偶数硬掩模以分别形成第一奇数和偶数开口；

相对于所述第一奇数硬掩模选择性地蚀刻所述第一偶数硬掩模；以及

穿过所述第一偶数开口蚀刻所述第一偶数导线以形成所述第一切割区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第二切割区域进一步包括：

在所述第一奇数和偶数硬掩模上并且在所述第一切割区域内形成第二掩模材料；

将所述第二掩模材料图案化至所述第一奇数和偶数硬掩模以分别形成第二奇开口和偶开口；

相对于所述第一奇数硬掩模选择性地蚀刻所述第一偶数硬掩模；以及

通过所述第二偶数开口蚀刻所述第一奇数导线以形成所述第一切割区域。

10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括用替换层替代所述第一电介质层。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

在所述第一切割区域内形成第一牺牲层；以及

在所述第二切割区域内形成第二牺牲层。