[发明专利]在线端部形成自对准顶部通孔

说明书

一种用于制造半导体器件的方法包括：使第一奇数硬掩模和第一偶数硬掩模凹陷，以形成凹陷的奇数和偶数硬掩模；在凹陷的奇数硬掩模上形成第一导电硬掩模，第一导电硬掩模包括第一导电硬掩模材料，在凹陷的偶数硬掩模上形成第二导电硬掩模；以及至少部分地基于第一导电硬掩模和第二导电硬掩模，在对应于第一奇数和偶数导线的线端处形成自对准通孔。

背景技术

本发明总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及包括导线和通孔的半导体器件及其形成方法。

通孔和导线的光刻对准可以通过厚的、不透明的导电膜(例如，金属膜)发生。在小尺寸处，重叠和对准误差可能对通孔接触电阻和介电阻挡具有大的影响。临界尺寸(CD)变化可以引入附加的叠加和对准波动。有限覆盖偏移可以使得通孔远离线端移动或者被线端切断，从而导致通孔CD减小。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：使第一奇数硬掩模和第一偶数硬掩模凹陷，以形成凹陷的奇数和偶数硬掩模；在凹陷的奇数硬掩模上形成第一导电硬掩模，第一导电硬掩模包括第一导电硬掩模材料，在凹陷的偶数硬掩模上形成第二导电硬掩模；以及至少部分地基于第一导电硬掩模和第二导电硬掩模，在对应于第一奇数和偶数导线的线端处形成自对准顶部通孔。

根据本发明的另实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括使第一奇数硬掩模和第一偶数硬掩模凹陷，以形成凹陷的奇数和偶数硬掩模。第一奇数硬掩模被形成为包括与第一偶数硬掩模不同的材料以支持第一奇数和偶数硬掩模的选择性蚀刻。所述方法还包括：在所述凹陷的奇数硬掩模上形成第一导电硬掩模以及在所述凹陷的偶数硬掩模上形成第二导电硬掩模，所述第一导电硬掩模包括第一导电硬掩模材料。第一和第二导电硬掩模被形成为具有沿着第一奇数和偶数导线的方向的半圆形截面形状。该方法还包括至少部分地基于第一和第二导电硬掩模在对应于第一奇数和偶数导线的线端处形成自对准顶部通孔。

根据本发明的又另实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在第一奇数导线上形成第一奇数硬掩模并在第一偶数导线上形成第一偶数硬掩模。第一奇数硬掩模被形成为包括与第一偶数硬掩模不同的材料以支持第一奇数和偶数硬掩模的选择性蚀刻。该方法还包括：在第一奇数和偶数硬掩模以及第一奇数和偶数导线的侧壁上形成第一电介质层；形成与第一偶数导线对应的第一切割区域；以及形成与第一奇数导线对应的第二切割区域，使所述第一奇数硬掩模和所述第一偶数硬掩模凹陷，以形成凹陷的奇数硬和偶数硬掩模；用相应的替换层替代所述第一电介质层；以及在所述凹陷的奇数硬掩模上形成包括第一导电硬掩模材料的第一导电硬掩模以及在所述凹陷的偶数硬掩模上形成第二导电硬掩模。第一导电硬掩模和第二导电硬掩模被形成为具有沿着第一奇数和偶数导线的方向的半圆形截面形状。该方法还包括至少部分地基于第一和第二导电硬掩模在对应于第一奇数和偶数导线的线端处形成自对准顶部通孔。