[发明专利]工件的双面研磨方法

说明书

本发明的工件的双面研磨方法通过具有保持工件的1个以上的保持孔的载板在该保持孔中保持所述工件而进行该工件的双面研磨，该工件的双面研磨方法包括取得所述保持孔的内周径与所述工件的边缘下降量的关系的工序；根据期待的边缘下降量以及取得的所述保持孔的内周径与所述工件的边缘下降量间的关系，决定所述保持孔的内周径的工序；以及使用具有已决定的内周径的所述保持孔的所述载板，进行所述工件的双面研磨的工序。

技术领域

本发明涉及一种工件的双面研磨方法。

背景技术

在提供于研磨的工件的典型例即硅晶片等半导体晶片的制造中，为了得到更高精度的晶片的平坦度品质、表面粗糙度品质，一般采用同时研磨晶片正面和背面的双面研磨工序（例如，专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014–2467号公报。

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，要求晶片形状根据其用途等各式各样地进行控制，例如，在进行外延成长的情况下，尤其在成长4μm以上的膜厚的外延层时，有时期望刻意地使晶片外周下降。

在这种情况下，可考虑例如使用硬度低的研磨垫进行双面研磨，由此通过研磨垫的弹性变形，刻意地使晶片外周下降等。

但是，在使用硬度低的研磨垫时，可能会发生晶片整个面的平坦度（例如，GBIR）下降等问题。因此，要求其他能够刻意地控制晶片外周形状的手法。因此，不仅在晶片中产生这种问题，在提供于双面研磨的工件中通常也会产生这种问题。

本发明的目的在于提供一种能够刻意地控制工件的外周形状的工件的双面研磨方法。

用于解决技术问题的方案

本发明的主旨方案如下。

本发明的工件的研磨方法是通过具有保持工件的1个以上的保持孔的载板在该保持孔中保持所述工件，进行该工件的双面研磨的工件的双面研磨方法，其特征在于包括：

取得所述保持孔的内周径与所述工件的边缘下降量的关系的工序；

根据期待的边缘下降量以及取得的所述保持孔的内周径与所述工件的边缘下降量间的关系，决定所述保持孔的内周径的工序；以及

使用具有已决定的内周径的所述保持孔的所述载板，进行所述工件的双面研磨的工序。

在此，所谓“边缘下降”是指工件外周部下垂，外周部厚度减小。所谓“边缘下降量”是工件外周部的下垂量，这意味着边缘下降量越大，工件外周部的下垂越大，因此外周部的厚度越薄。

作为“边缘下降量”的指标，例如能够使用ESFQR。所谓“ESFQR”是在SEMI规格中规定的表示晶片平坦度的指标，关于在晶片整周的周缘区域中形成的扇形（在从晶片外周30mm的范围内往圆周方向进行72等分）的各区域的晶片厚度，通过算出从根据最小平方法求出的基准面的最大位移量的绝对值的和求出。“ESFQRmax”是其中的最大值。但是，在工件为晶片时等，由于有时外缘被实施倒角处理，因此例如能够将从外周缘往径向1mm的区域除外作为边缘除外区域。

在外周缘下降的晶片中，“ESFQR”越大，意味着“边缘下降量”越大。

并且，在保持孔的内周面具有（例如树脂制的）插入物时，“内周径”是指该插入物的内周径。

在此，所述边缘下降量优选为定尺寸状态下的边缘下降量。

所谓“定尺寸状态”是指双面研磨工件的状态直到工件厚度与载板的厚度相同为止。