[发明专利]三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：

在衬底上形成第一场效应晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，该第一S/D结构位于该第一场效应晶体管的第一沟道结构的第一端处，该第一沟道结构位于该衬底上方并且沿该衬底的顶表面延伸；

在该第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，该第一替代硅化物层由第一电介质制成；

沉积覆盖该第一替代硅化物层和该第一场效应晶体管的第一S/D结构的第二电介质；

在该第二电介质中形成第一互连开口，该第一互连开口露出该第一替代硅化物层；

用第一替代互连层填充该第一互连开口，该第一替代互连层由第三电介质制成；

对该衬底执行热处理；

去除该第一替代互连层和该第一替代硅化物层；以及

在该第一场效应晶体管的第一S/D结构的表面上沉积第一硅化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，在对该衬底执行热处理之前，进一步包括：

凹陷该第一互连开口中的该第一替代互连层；

在该第一替代互连层上形成第一电介质盖；

用该第二电介质重新填充该第一互连开口；

凹陷该第二电介质以露出第二场效应晶体管的第二沟道结构，该第二沟道结构位于该第一沟道结构上方并与该第一沟道结构隔开；

形成该第二场效应晶体管的第二S/D结构，该第二S/D结构位于该第一S/D结构上方并与该第一S/D结构隔开，该第二S/D结构位于该第二沟道结构的第一端；

在该第二S/D结构的表面上沉积第二替代硅化物层，该第二替代硅化物层由该第一电介质制成；

沉积覆盖该第二替代硅化物层和该第二S/D结构的该第二电介质；

在该第二电介质中形成第二互连开口，该第二互连开口露出该第二替代硅化物层；以及

在该第二互连开口中形成第二替代互连层，该第二替代互连层由该第三电介质制成。

3.根据权利要求2所述的方法，在该第二互连开口中形成该第二替代互连层后，进一步包括：

去除该第二替代互连层的一部分，从而在该第二替代互连层上方形成空间，该空间进一步位于该第二电介质中；

在该第二替代互连层上形成第二电介质盖；以及

在该空间中重新填充该第二电介质。

4.根据权利要求3所述的方法，在对该衬底执行热处理之后，进一步包括：

去除该第二互连开口中的该第二替代互连层、以及该第二替代硅化物层；以及

在该第二S/D结构的表面上沉积第二硅化物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，去除该第二替代互连层和该第二替代硅化物层进一步包括：

在该第二电介质上方形成层间电介质(ILD)；

在该ILD上方形成图案化掩模；

执行刻蚀工艺以基于该图案化掩模形成第一通孔开口和第二通孔开口，该第一通孔开口和该第二通孔开口延伸到该第二电介质和该ILD中，以分别露出该第一替代互连层和该第二替代互连层；以及

执行刻蚀工艺以进一步去除该第一互连开口中的该第一替代互连层、该第一替代硅化物层、该第二互连开口中的该第二替代互连层、以及该第二替代硅化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，在沉积该第一硅化物层和该第二硅化物层之后，进一步包括：

基于该图案化掩模在该ILD中形成第一沟槽开口和第二沟槽开口，该第一沟槽开口连接到该第一通孔开口，并且该第二沟槽开口连接到该第二通孔开口；

在该第一沟槽开口、该第二沟槽开口、该第一通孔开口、该第二通孔开口、该第一互连开口和该第二互连开口中沉积导电材料，以在该第一沟槽开口中形成第一金属线、在该第二沟槽开口中形成第二金属线、在该第一通孔开口中形成第一通孔、在该第二通孔开口中形成第二通孔、在该第一互连开口中形成第一互连结构以及在该第二互连开口中形成第二互连结构，其中：

该第一金属线、该第一通孔和该第一互连结构连接在一起；以及

该第二金属线、该第二通孔和该第二互连结构连接在一起。