[发明专利]用于蚀刻临界尺寸控制的非共形高选择性膜

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基板上形成膜堆叠，所述膜堆叠包括氧化材料和氮化材料的多个交替层，并且所述膜堆叠具有堆叠厚度；

蚀刻所述膜堆叠至第一深度，以形成具有至少一个侧壁和底部的开口，所述第一深度小于所述厚度；

在所述开口的所述至少一个侧壁和所述底部上沉积非共形衬垫，在所述开口的所述底部上的所述非共形衬垫具有厚度，所述厚度小于在所述开口的所述至少一个侧壁上的所述非共形衬垫的厚度；

从所述开口的所述底部蚀刻所述非共形衬垫；

相对于所述非共形衬垫选择性蚀刻所述膜堆叠至第二深度，以形成孔洞；以及

移除所述非共形衬垫。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述堆叠厚度在约1μM至约10μM的范围中。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在蚀刻之前在所述膜堆叠上形成图案化硬掩模。

4.如权利要求3所述的方法，其中在所述图案化硬掩模中的开口暴露待蚀刻的所述膜堆叠的部分。

5.如权利要求4所述的方法，其中在所述图案化硬掩模中的所述开口具有在约1nm至约3000nm的范围中的宽度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述非共形衬垫包括以下项中的一者或多者：硼、碳或氮。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述非共形衬垫通过化学气相沉积来沉积。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述非共形衬垫通过将所述基板暴露至含硼前驱物和反应物而形成。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述孔洞包括以下项中的一者或多者：存储器孔洞或字符线缝。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第二深度在约1μM至约10μM的范围中。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述孔洞具有约50nm的减少的弓曲临界尺寸。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述非共形衬垫具有在约1nm至约50nm的范围中的厚度。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述非共形衬垫通过工艺移除，所述工艺包括在氧化环境中的退火。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述退火在大于或等于约500℃的温度下执行。

15.一种方法，包括：

在基板上形成膜堆叠，所述膜堆叠包括氧化材料和氮化材料的多个交替层，并且所述膜堆叠具有堆叠厚度；

在所述膜堆叠上形成图案化硬掩模；

通过所述硬掩模蚀刻所述膜堆叠至第一深度，以形成具有至少一个侧壁和底部表面的开口，所述第一深度小于所述堆叠厚度；

通过原子层沉积，在所述开口的所述至少一个侧壁和所述底部表面上沉积非共形衬垫，在所述开口的所述底部表面上的所述非共形衬垫具有厚度，所述厚度小于在所述开口的所述至少一个侧壁上的所述非共形衬垫的厚度，所述非共形衬垫包括以下项中的一者或多者：硼、氮或碳；

从所述开口的所述底部表面蚀刻所述非共形衬垫；

相对于所述非共形衬垫选择性蚀刻所述膜堆叠至第二深度，以形成孔洞；以及

执行所述基板的退火，以移除所述非共形衬垫。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述非共形衬垫通过将所述基板暴露至含硼前驱物和反应物而形成。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述非共形衬垫具有在约1nm至约50nm的范围中的厚度。