[发明专利]用于基板支撑件的集成电极和接地平面

说明书

在本文中描述的实施例涉及用于在处理腔室中进行射频(RF)接地的设备。在一个实施例中，加热器被设置在基板支撑件中。加热器被接地屏蔽组件包围。基板支撑件还包括设置在基板支撑件中的多区域电极。多区域电极包括设置在平面中的电极的一个或多个部分。多区域接地平面的一个或多个部分与电极的一个或多个部分一同地被插置。即，多区域接地平面和多区域电极与电极的一个或多个部分共平面，其中电极的一个或多个部分与多区域接地平面的一个或多个部分在基板支撑件的整个平面中交替。

背景技术

技术领域

本公开的实施例大体涉及用于基板处理的基板支撑件，并且更具体地涉及在基板支撑件中的集成电极和接地平面。

相关技术说明

在集成电路和其他的电子装置的制造中，等离子体工艺时常用于各种材料层的沉积或蚀刻。与热处理相比，等离子体处理提供许多的优点。举例而言，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)允许沉积工艺能够以与在类似的热工艺中可实现的温度和沉积速率相比更低的温度和更高的沉积速率进行。

等离子体处理(诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD))被使用以在基板上沉积材料(诸如毯覆介电膜)。射频(RF)功率可被使用以激活在处理腔室中的处理气体。RF功率具有返回源的趋势。在一些情况中，由于形成杂散等离子体的缘故，在腔室的各个区域中损失RF功率。电弧可能从处理腔室中的RF功率产生，电弧可能损坏腔室及其部件。接地路径被提供从而以更可控的方式在预定区域中引导RF功率远离处理腔室的特定区域，以防止特定区域的损失或对特定区域的损坏，并尝试减少在处理腔室中的杂散等离子体或电弧的产生。然而，目前的接地路径设计复杂，且造成电弧放电、杂散等离子体、或不对称的接地路径，从而导致等离子体处理中的变化。再者，目前的接地路径设计使得RF电流能够在替代的路径上行进，从而使处理腔室具有更多可重复的性能。

因此，需要改进的基板支撑件设计。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种包括主体的基板支撑件。电极和接地屏蔽组件被设置在主体中。一个或多个加热元件被设置在接地屏蔽组件内。

在另一个实施例中，提供了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的主体。第一表面包括多个台面和多个谷部。多个谷部中的每一者被设置在多个台面中的至少两者之间。电极被设置在所述主体中。电极的多个部分中的每一者与多个台面中的一者对准。接地屏蔽组件被设置在主体中并形成格子结构。一个或多个加热元件被设置在主体中并且被接地屏蔽组件包围。

在又一个实施例中，提供一种处理腔室，所述处理腔室包括腔室主体和在腔室主体中界定处理空间的盖。喷头被设置在处理空间中且耦接至盖。杆从腔室主体的与盖相对的底部延伸。基板支撑件被设置在杆上的处理空间中。基板支撑件包括：主体、被设置在主体中的电极、以及被设置在主体中的接地屏蔽组件。一个或多个加热元件被设置在接地屏蔽组件内。

附图简述

为了可详细地理解本公开的前述特征，可通过参考实施例来对前文中进行简要概述的本公开进行更具体的描述，这些实施例中的一些在附图中示出。然而，应注意到：附图仅示例说明示例性的实施例，因而不应被认为是对其范围作出限制(因为本公开可容许其他的同等有效的实施例)。

图1A示出了根据一些实施例的处理腔室的示意性的剖面图。

图1B示出了根据本公开的一些实施例的处理腔室的示意性的剖面图。

图2示出了根据一些实施例的基板支撑件的俯视示意图。

图3是根据一些实施例的用于形成基板支撑件的方法。

为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记来指定图中共有的相同元件。考虑一个实施例的元件和特征可被有利地并入其他的实施例中，而无需进一步的记载。

具体实施方式