[发明专利]超低剖面堆叠RDL半导体封装件在审
申请号: | 202080069514.6 | 申请日: | 2020-09-01 |
公开(公告)号: | CN114503257A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | A·帕蒂尔;卫洪博;D·F·雷 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/10;H01L25/16;H01L21/56;H01L21/683;H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 剖面 堆叠 rdl 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
第一再分布层RDL,其中所述第一RDL包括n个层;
第二RDL,其中所述第二RDL包括m个层;
连接层,耦接到所述第一RDL的第一侧和所述第二RDL的第一侧;
第一表面安装器件SMD,耦接到所述第一RDL的与所述第一RDL的所述第一侧相对的第二侧;以及
第二SMD,耦接到所述第二RDL的与所述第二RDL的所述第一侧相对的第二侧。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括在所述连接层中的第三SMD。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中n大于1,并且m大于1。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括:球栅阵列,耦接到所述第一RDL的所述第二侧。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中所述连接层包括铜柱和底部填充剂的交替区域。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中所述底部填充剂是非导电膜或非导电膏中的一种,并且所述铜柱的区域包括:铜柱,耦接到所述第一RDL;以及焊料层,耦接到所述第二RDL。
7.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中所述底部填充剂是各向异性导电膜,并且所述铜柱的区域包括耦接到所述第一RDL的铜柱,并且所述各向异性导电膜在所述铜柱与所述第二RDL之间被耦接到所述第二RDL。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中所述半导体封装件被结合到从包括以下项的组中选择的设备中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和汽车中的设备。
9.一种半导体封装件,包括:
用于路由信号的第一再分布装置,其中所述第一再分布装置包括n个层;
用于路由信号的第二再分布装置,其中所述第二再分布装置包括m个层;
连接装置,用于连接被耦接到所述第一再分布装置的第一侧和所述第二再分布装置的第一侧的层;
第一表面安装器件SMD,耦接到所述第一再分布装置的与所述第一再分布装置的所述第一侧相对的第二侧;以及
第二SMD,耦接到所述第二再分布装置的与所述第二再分布装置的所述第一侧相对的第二侧。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,还包括在所述连接装置中的第三SMD。
11.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中n大于1,并且m大于1。
12.根据权利要求9所述的半导体封装件,还包括:球栅阵列,耦接到所述第一再分布装置的所述第二侧。
13.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中所述连接装置包括铜柱和底部填充剂的交替区域。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中所述底部填充剂是非导电膜或非导电膏中的一种,并且所述铜柱的区域包括:铜柱,耦接到所述第一再分布装置;以及焊料层,耦接到所述第二再分布装置。
15.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中所述底部填充剂是各向异性导电膜,并且所述铜柱的区域包括耦接到所述第一再分布装置的铜柱,并且所述各向异性导电膜在所述铜柱与所述第二再分布装置之间被耦接到所述第二再分布装置。
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