[发明专利]氮化镓颗粒和其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓颗粒，其特征在于，氧含量为0.5原子％以下，Si、Ge、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd的元素的总杂质量低于10wtppm。

2.根据权利要求1所述的氮化镓颗粒，其特征在于，Mg、Si的总杂质量低于5wtppm。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓颗粒，其特征在于，Si杂质量低于1wtppm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化镓颗粒，其特征在于，含有氧量为0.1原子％以下。

5.一种权利要求1～4中任一项所述的氮化镓颗粒的制造方法，其特征在于，以氧化镓作为起始原料进行氮化处理后，作为析出处理，将加热至温度1150℃以上且1300℃以下的输送用氨气导入到加热至1150℃以上且1300℃以下的进行了氮化处理的氧化镓中，对于气化的氮化镓，导入加热至900℃以上且1100℃以下的析出用氨气进行析出，从而得到氮化镓颗粒。

6.一种烧结体，其包含权利要求1～4中任一项所述的氮化镓颗粒。

7.一种溅射靶材，其是使用权利要求6所述的烧结体而成的。

8.一种薄膜，其是使用权利要求7所述的溅射靶材而成的。