[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：包括多行单元行、多条埋入式电源布线、局部电源布线以及多条金属电源布线，

所述多行单元行分别包括在第一方向上排列的标准单元，且所述多行单元行排列着布置在与所述第一方向垂直的第二方向上，

所述多条埋入式电源布线形成于埋入式布线层，沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上以第一规定间距布置，向所述标准单元供给第一电源电压，

所述局部电源布线形成于局部布线层，所述局部布线层供形成与所述标准单元所包括的晶体管的源极和漏极相接的局部布线，所述局部电源布线沿所述第二方向延伸，并与所述多条埋入式电源布线相连接，

所述多条金属电源布线形成在位于所述局部布线层的上层的金属布线层，沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上以比所述第一规定间距大的第二规定间距布置，并与所述局部电源布线相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

该半导体集成电路装置包括电源抽头单元组，该电源抽头单元组分别设置于所述多行单元行且分别由沿所述第二方向排列的多个电源抽头单元构成，

所述多个电源抽头单元包括沿所述第二方向延伸的局部布线，

所述局部电源布线通过所述多个电源抽头单元所包括的所述局部布线连续而形成。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述电源抽头单元组布置有多个并且多个所述电源抽头单元组在所述第一方向上等间距布置。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

该半导体集成电路装置包括多条第二埋入式电源布线、第二局部电源布线以及多条第二金属电源布线，

所述多条第二埋入式电源布线形成于埋入式布线层，沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上以第三规定间距布置，向所述标准单元供给第二电源电压，

所述第二局部电源布线形成于所述局部布线层，沿所述第二方向延伸，并与所述多条第二埋入式电源布线相连接，

所述多条第二金属电源布线形成于所述金属布线层，沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上以比所述第三规定间距大的第四规定间距布置，并与所述第二局部电源布线相连接。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

该半导体集成电路装置包括电源抽头单元组，该电源抽头单元组分别设置于所述多行单元行，且分别由沿所述第二方向排列的多个电源抽头单元构成，

所述多个电源抽头单元包括在所述第二方向上并列着延伸的第一局部布线和第二局部布线，

所述局部电源布线通过所述多个电源抽头单元所包括的所述第一局部布线连续而形成，所述第二局部电源布线通过所述多个电源抽头单元所包括的所述第二局部布线连续而形成。

6.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

该半导体集成电路装置包括第一电源抽头单元组和第二电源抽头单元组，

所述第一电源抽头单元组分别设置于所述多行单元行且由沿所述第二方向排列的多个第一电源抽头单元构成，

所述第二电源抽头单元组分别设置于所述多行单元行且由沿所述第二方向排列的多个第二电源抽头单元构成，

所述多个第一电源抽头单元包括沿所述第二方向延伸的第一局部布线，

所述多个第二电源抽头单元包括沿所述第二方向延伸的第二局部布线，

所述局部电源布线通过所述多个第一电源抽头单元所包括的所述第一局部布线连续而形成，所述第二局部电源布线通过所述多个第二电源抽头单元所包括的所述第二局部布线连续而形成。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在所述多行单元行的所述第一方向上的一端具有在所述第二方向上排列的多个电源终端单元，

所述多个电源终端单元包括用于将所述多条埋入式电源布线相互连接、沿所述第二方向延伸的埋入式布线。