[发明专利]半导体集成电路装置

说明书

在向标准单元供给电源的电源布线结构中，确保铺设信号布线的区域，实现半导体集成电路装置的高集成化、小面积化。沿X方向延伸的埋入式电源布线(3)在Y方向上以规定间距布置。沿Y方向延伸的局部电源布线(5)与埋入式电源布线(3)相连接。在上层的金属布线层上形成有沿X方向延伸的金属电源布线(7)，金属电源布线(7)与局部电源布线(5)相连接。金属电源布线(7)在Y方向上的布置间距大于埋入式电源布线(3)的布置间距。

技术领域

本公开涉及一种包括标准单元的半导体集成电路装置。

背景技术

作为在半导体基板上形成半导体集成电路的方法，已知有标准单元方式。标准单元方式是指：通过事先将具有特定逻辑功能的基本单元(例如反相器、锁存器、触发器、全加器等)作为标准单元准备好，将多个标准单元布置在半导体基板上，用布线将这些标准单元连接起来，这样来设计LSI(大规模集成电路)芯片。

为了实现半导体集成电路装置的高集成化，提出了以下方案：在标准单元中使用设置于埋入式布线(Buried Interconnect)层的电源布线即埋入式电源布线(BPR：BuriedPower Rail)的方案，而不使用像现有的设于形成在晶体管的上层的金属布线层的电源布线。

在专利文献1中公开了以下结构：在由标准单元构成的块中，由埋入式电源布线构成电源布线，将晶体管的源极与该埋入式电源布线连接起来，进而将它们与设置于上层布线层的电源布线连接起来。

专利文献1：美国专利申请公开第2019/0080969号说明书(图1E)

发明内容

-发明要解决的技术问题-

在专利文献1的结构中，尽管作为标准单元的电源布线使用了埋入式电源布线，但需要再针对各埋入式电源布线在上层布线层设置电源布线。因此，在上层布线层中铺设信号布线的区域减少，这妨碍了半导体集成电路装置的高集成化。

本公开的目的为：在向标准单元供给电源的电源布线结构中，确保铺设信号布线的区域，实现半导体集成电路装置的高集成化、小面积化。

-用以解决技术问题的技术方案-

本公开的第一方面为一种半导体集成电路装置，其特征在于：包括多行单元行、多条埋入式电源布线、局部电源布线以及多条金属电源布线，所述多行单元行分别包括在第一方向上排列的标准单元，且所述多行单元行排列着布置在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述多条埋入式电源布线形成于埋入式布线层，沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上以第一规定间距布置，向所述标准单元供给第一电源电压，所述局部电源布线形成于局部布线层，所述局部布线层供形成与所述标准单元所包括的晶体管的源极和漏极相接的局部布线，所述局部电源布线沿所述第二方向延伸，并与所述多条埋入式电源布线相连接，所述多条金属电源布线形成在位于所述局部布线层的上层的金属布线层，沿所述第一方向延伸，在所述第二方向上以比所述第一规定间距大的第二规定间距布置，并与所述局部电源布线相连接。

根据该方面，在第一方向上延伸的多条埋入式电源布线在第二方向上以规定间距布置。沿第二方向延伸的局部电源布线与多条埋入式电源布线相连接。在位于局部布线层的上层的金属布线层形成有沿第一方向延伸的多条金属电源布线，该多条金属电源布线与局部电源布线相连接。根据该结构，不需要与多条埋入式电源布线对应着分别设置金属布线，多条金属电源布线在第二方向上以比多条埋入式电源布线的布置间距大的间距布置。这样一来，在金属布线层中，能够确保更多的区域用于铺设信号布线。因此，能够实现半导体集成电路装置的小面积化。