[发明专利]用于减少通孔形成对于电子装置形成的影响的系统和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

形成从基板的第一表面延伸的部分通孔，其中所述基板呈现沿着垂直于所述第一表面和第二表面两者的线在所述第一表面与所述第二表面之间的距离，并且其中延伸进入所述基板的所述部分通孔小于所述第一表面与所述第二表面之间的所述距离的百分之一百；

形成在所述基板的所述第二表面上放并远离所述部分通孔上方的区域的非通孔结构；以及

在形成所述基板的所述第二表面上方的所述非通孔结构之后，移除所述基板的一部分以将所述部分通孔转换成从所述基板的所述第一表面延伸至所述基板的所述第二表面的完整通孔。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板是透明基板。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述基板从由玻璃基板、玻璃陶瓷基板、陶瓷基板和聚合物基板组成的群组选择。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述部分通孔延伸所述第一表面与所述第二表面之间的所述距离的至少百分之十。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述部分通孔延伸所述第一表面与所述第二表面之间的所述距离的至少百分之二十。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述部分通孔延伸所述第一表面与所述第二表面之间的所述距离的至少百分之三十。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述部分通孔延伸所述第一表面与所述第二表面之间的所述距离的至少百分之五十。

8.如权利要求1所述的方法，其中移除所述基板的所述部分以将所述部分通孔转换成从所述基板的所述第一表面延伸至所述基板的所述第二表面的所述完整通孔的步骤包括以下步骤：从所述基板的所述第二表面进行激光烧蚀。

9.如权利要求1所述的方法，其中在横向测量所述部分通孔的中心点与被移除以将所述部分通孔转换成所述完整通孔的所述基板的所述部分的中心点时，被移除以将所述部分通孔转换成所述完整通孔的所述基板的所述部分与先前所形成的所述部分通孔未对准非零距离。

10.如权利要求9所述的方法，其中在横向测量所述部分通孔的中心点与被移除以将所述部分通孔转换成所述完整通孔的所述基板的所述部分的中心点时，被移除以将所述部分通孔转换成所述完整通孔的所述基板的所述部分与先前所形成的所述部分通孔未对准小于一百微米。

11.如权利要求1所述的方法，其中移除所述基板的所述部分以将所述部分通孔转换成从所述基板的所述第一表面延伸至所述基板的所述第二表面的所述完整通孔的步骤包括以下步骤：

在与所述部分通孔对应的位置处，将所述基板暴露于穿透所述基板的限定波长的光，以建立从所述基板的所述第二表面到所述部分通孔的路径，相较未暴露于所述限定波长的光的所述基板的材料，沿着所述路径的所述基板材料的至少一个特性改变；以及

使用蚀刻剂来蚀刻所述基板，所述蚀刻剂用高于未呈现所述改变的特性的所述基板材料的速率来蚀刻具有所述改变的特性的所述基板材料。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括以下步骤：

在移除所述基板的所述部分以将所述部分通孔转换成从所述基板的所述第一表面延伸至所述基板的所述第二表面的所述完整通孔之前，在所述非通孔结构上方形成保护材料；以及

其中移除所述基板的所述部分以将所述部分通孔转换成从所述基板的所述第一表面延伸至所述基板的所述第二表面的所述完整通孔的步骤包括以下步骤：至少从所述基板的所述第二表面进行湿法蚀刻。