[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：所述半导体集成电路装置包括多个单元行，多个所述单元行分别包括沿第一方向排列着布置的多个标准单元，

多个所述单元行之一即第一单元行包括第一标准单元和第二标准单元，所述第一标准单元具有逻辑功能，所述第二标准单元布置于所述第一单元行的两端中的至少一端，且不具有逻辑功能，

所述第一标准单元包括第一区域、第二区域、第一纳米片、第二纳米片、第一栅极布线以及第二栅极布线，

所述第一区域是第一导电型晶体管的形成区域，

所述第二区域是与所述第一导电型不同的第二导电型晶体管的形成区域，所述第二区域在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一区域相邻，

所述第一纳米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第一区域，

所述第二纳米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第二区域，

所述第一栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第一纳米片的所述第二方向、以及与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上的外周，

所述第二栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第二纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二标准单元包括第三纳米片、第四纳米片、第一虚设栅极布线以及第二虚设栅极布线，

所述第三纳米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在与所述第一纳米片相同的位置处，

所述第四纳米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在与所述第二纳米片相同的位置处，

所述第一虚设栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第三纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二虚设栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第四纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第一纳米片的所述第二方向上的一侧即第一侧的面从所述第一栅极布线露出，

所述第二纳米片的所述第二方向上的一侧即第二侧的面从所述第二栅极布线露出，

所述第三纳米片的所述第二方向上的所述第一侧的面从所述第一虚设栅极布线露出，

所述第四纳米片的所述第二方向上的所述第二侧的面从所述第二虚设栅极布线露出。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一侧是所述第一纳米片的靠所述第二区域的一侧，

所述第二侧是所述第二纳米片的靠所述第一区域的一侧。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一侧是所述第一纳米片的与所述第二区域相反的一侧，

所述第二侧是所述第二纳米片的与所述第一区域相反的一侧。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一标准单元还包括第五纳米片和第六纳米片，

所述第五纳米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第一区域，

所述第六纳米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第二区域，

所述第二标准单元还包括第七纳米片和第八纳米片，

所述第七纳米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在与所述第五纳米片相同的位置处，

所述第八纳米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在与所述第六纳米片相同的位置处，

所述第一栅极布线包围所述第五纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二栅极布线包围所述第六纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第一虚设栅极布线包围所述第七纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二虚设栅极布线包围所述第八纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第五纳米片的所述第二方向上的与所述第一侧相反的一侧的面从所述第一栅极布线露出，

所述第六纳米片的所述第二方向上的与所述第二侧相反的一侧的面从所述第二栅极布线露出，

所述第七纳米片的所述第二方向上的与所述第一侧相反的一侧的面从所述第一虚设栅极布线露出，

所述第八纳米片的所述第二方向上的与所述第二侧相反的一侧的面从所述第二虚设栅极布线露出。