[发明专利]用于辐射源的设备

权利要求书

1.一种容纳装置，所述容纳装置被布置为容纳产生激光的等离子体辐射源的废产物，包括：

第一部分，限定腔室；以及

第二部分，至少部分地对所述腔室的入口进行限定；

其中，在使用中，所述废产物通过所述入口进入所述腔室，并且其中所述第二部分由包括陶瓷材料的材料形成。

2.根据权利要求1所述的容纳装置，其中所述第一部分由包括钼的材料形成。

3.根据权利要求1或2所述的容纳装置，其中所述陶瓷材料包括硼和/或氟。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的容纳装置，其中所述陶瓷材料包括：

氧化硅；

氧化镁；

氧化铝；

氧化钾；

氧化硼；以及

氟。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的容纳装置，其中所述陶瓷材料包括金属氮化物。

6.根据权利要求5所述的容纳装置，其中所述陶瓷材料包括氮化硼。

7.根据权利要求5所述的容纳装置，其中所述陶瓷材料包括氮化铝。

8.一种产生激光的等离子体辐射源，包括根据前述权利要求中任一项所述的容纳装置。

9.一种产生激光的等离子体辐射源，包括用于所述辐射源的排放系统中的组件，其中所述组件对被布置为容纳所述辐射源的废产物的腔室进行限定，并且其中所述组件由包括钼的材料形成。

10.一种产生激光的等离子体辐射源，包括用于所述辐射源的排放系统中的组件，其中所述组件包括包含硼和/或氟的陶瓷材料。

11.一种产生激光的等离子体辐射源，包括用于所述辐射源的排放系统中的组件，其中所述组件包括包含金属氮化物的陶瓷材料。

12.根据权利要求10所述的产生激光的等离子体辐射源，其中所述陶瓷材料包括：

氧化硅；

氧化镁；

氧化铝；

氧化钾；

氧化硼；以及

氟。

13.根据权利要求10或11所述的产生激光的等离子体辐射源，其中所述组件包括包含氮化硼的陶瓷材料。

14.根据权利要求10、11或13所述的产生激光的等离子体辐射源，其中所述组件包括包含氮化铝的陶瓷材料。

15.根据权利要求8至14中任一项所述的辐射源，其中所述辐射源还包括用于向所述辐射源内的一个或多个表面提供氢的机构。

16.根据权利要求10至14中任一项所述的辐射源，其中所述组件至少部分地对腔室的入口进行限定，所述腔室被布置为容纳所述辐射源的废产物。

17.根据权利要求10至14中任一项所述的辐射源，其中所述组件是被配置为输送所述辐射源的废产物的管。