[发明专利]用于辐射源的设备在审
申请号: | 202080072810.1 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN114557136A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | M·里彭;P·P·A·A·布罗姆;R·德鲁伊特;M·V·格里克-吉伦;G·梅利索尔戈斯;T·J·斯考特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 赵林琳 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 辐射源 设备 | ||
提供了一种容纳装置,该容纳装置被设置为容纳产生激光的等离子体辐射源的废产物。该容纳装置包括:第一部分,限定腔室;以及第二部分,至少部分地对腔室的入口进行限定。在使用中,废产物通过入口进入腔室。第二部分由包括陶瓷材料的材料形成。该容纳装置在用于光刻系统的辐射源中特别有用。
本申请要求于2019年10月16日提交的EP申请19203471.8的优先权,该EP申请通过引用被整体并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种辐射源。特别地,本发明涉及一种适于输送和/或容纳辐射源的废产物(诸如锡)的设备。
背景技术
光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。例如,光刻设备可以将来自图案化装置(例如,掩模)的图案投射到在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
为了在衬底上投射图案,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比,使用波长在4至20nm范围内(例如,6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。
EUV辐射可以使用产生激光的等离子体(LPP)辐射源来生成。LPP辐射源可以使用诸如液体锡的燃料。在生成EUV辐射之后,锡可能构成辐射源的废产物。排放系统可以用于去除来自辐射源的废产物(诸如液体锡)。为了便于废产物的这种去除,可以将排放系统的部分保持在高于废产物的熔点的温度,使得废产物可以流动。
然而,废产物可能积聚在排放系统的一个或多个组件中,特别是如果排放系统的组件未被保持在废产物的熔点以上。这可能导致排放系统内的流量减少和/或堵塞。此外,锡可能腐蚀排放系统的组件,并因此缩短它们的使用寿命。
可能希望克服与辐射源的废产物(诸如锡)相关联的问题,诸如上述问题。因此,本发明的实施例涉及适于输送和容纳辐射源的废产物的新设备。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供了一种容纳装置,该容纳装置被布置为容纳产生激光的等离子体辐射源的废产物。容纳装置可以包括第一部分。第一部分可以限定腔室。容纳装置可以包括第二部分。第二部分可以至少部分地对腔室的入口进行限定。在使用中,废产物可以通过入口进入腔室。第二部分可以由包括陶瓷材料的材料形成。
第二部分至少部分地对腔室的入口进行限定,第二部分由包括陶瓷材料的材料形成。特别地,对腔室的入口进行限定的第二部分的一个或多个表面可以由包括陶瓷材料的材料形成。在一些实施例中,第二部分可以由这种陶瓷材料形成。备选地,第二部分可以由另一种材料形成,该另一种材料可以被涂覆有这种陶瓷材料。
辐射源的废产物可以包括锡。
第一部分可以被称为主体。第二部分可以被称为套环。腔室的入口可以被限定为开口。
产生激光的等离子体(LPP)辐射源可以通过经由激光束提供具有能量的液体燃料的微滴(诸如液体锡的微滴)来生成辐射。该液体燃料可以构成辐射源的废产物。即,废产物可以包括液体锡。可能希望从辐射源去除这种废产物。辐射源可以被设置有排放系统。辐射源内的任何废产物可以经由所述排放系统排放到容纳装置中。容纳装置也可以被称为桶。容纳装置可以被布置以便接收和存储废产物。特别地,废产物可以经由腔室的入口被接收并且可以被存储在腔室内。
容纳装置有利地包括第一部分和第二部分。特别地,第一部分(其可以构成容纳装置的主体)可以由第一材料形成,第二部分(其可以构成容纳装置的套环)可以由不同的第二材料形成。第一部分的材料和第二部分的材料可以被选择为具有不同的有利性质。例如,第一部分的材料可以有利地适于存储辐射源的废产物。第二部分的材料可以有利地适合于与废产物是不粘附和/或不润湿的。
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