[发明专利]气相成长装置

权利要求书

1.一种气相成长装置，前述气相成长装置使用支承晶圆的环状的载具，在前述晶圆处形成CVD膜，其特征在于，

具备装载锁定室，前述装载锁定室设置有支承前述载具的架，

在前述载具和前述架处设置有修正机构，前述修正机构修正沿着前述晶圆的周向的前述载具的旋转方向的位置。

2.如权利要求1所述的气相成长装置，其特征在于，

前述修正机构包括限制前述载具的顺时针的旋转及逆时针的旋转的一对修正机构。

3.如权利要求1或2所述的气相成长装置，其特征在于，

前述修正机构包括俯视观察装置的情况下修正前述载具的上下方向及左右方向的位置的修正机构。

4.如权利要求1至3中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，

前述修正机构包括设置于前述载具的第1卡合部和设置于前述架的第2卡合部。

5.如权利要求4所述的气相成长装置，其特征在于，

前述第2卡合部具备与前述第1卡合部卡合的卡合面、使前述载具相对于前述架相对地旋转的旋转面、确定前述载具相对于前述架的修正位置的定位面。

6.如权利要求4所述的气相成长装置，其特征在于，

前述第1卡合部具备与前述第2卡合部卡合的卡合面、使前述载具相对于前述架相对地旋转的旋转面、确定前述载具相对于前述架的修正位置的定位面。

7.如权利要求5或6所述的气相成长装置，其特征在于，

前述卡合面和前述旋转面是同一面。

8.如权利要求1至7中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，

前述架是将至少两个前述载具上下地支承的架，在最上层的架处不设置前述修正机构。

9.如权利要求1至8中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，

前述CVD膜是硅外延膜。

10.如权利要求1至9中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，

将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、前述装载锁定室及晶圆移载室向在前述晶圆处形成前述CVD膜的前述反应室顺次搬运，

并且将多个处理后的前述晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，

前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，

前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，

在前述晶圆移载室处设置有第1机器人，前述第1机器人将被搬运至前述装载锁定室的处理前的前述晶圆以支承于前述载具的状态投入前述反应室，并且，将在前述反应室处结束处理的处理后的前述晶圆以支承于前述载具的状态从前述反应室取出来搬运至前述装载锁定室，

在前述工厂接口处设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的前述晶圆从前述晶圆收纳容器取出，借助在前述装载锁定室待机的前述载具支承，并且将被搬运至前述装载锁定室的支承于前述载具的处理后的前述晶圆收纳至前述晶圆收纳容器。