[发明专利]气相成长装置在审

专利信息
申请号: 202080075000.1 申请日: 2020-10-15
公开(公告)号: CN114586137A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 南出由生 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;C23C16/24;C23C16/458;C30B25/12;C30B29/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张泽洲;张一舟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 相成 装置
【说明书】:

本发明提供一种气相成长装置(1),前述气相成长装置(1)能够在俯视观察气相成长装置(1)的情况下修正载具(C)相对于晶圆(WF)旋转方向的位置的偏离。气相成长装置(1)具备装载锁定室(13),前述装载锁定室(13)设置有支承载具(C)的架(17),在载具(C)和架(17)处设置修正机构,前述修正机构修正俯视观察气相成长装置(1)的情况下载具(C)的旋转方向的位置。

技术领域

本发明涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置及气相成长方法。

背景技术

已知用于在基板上沉积膜的多腔处理系统的装载锁定腔中,使用对准环及对准销等的定位机构,相对于用于移送基板的载具对准基板的位置(专利文献1)。

专利文献1 : 美国专利第9,929,029号说明书。

上述定位机构在俯视观察气相成长装置的情况下,将载具相对于基板(晶圆)的上下及左右方向的位置对准至作为基准的位置,但晶圆的旋转方向的位置不修正。为了在晶圆处沉积均匀的膜而载具具有在晶圆的旋转方向上周期性地变化的形状的情况下,若载具相对于晶圆的旋转方向的位置未对准,则对处理后的晶圆的品质造成不良影响。然而,上述现有技术中,关于俯视观察气相成长装置的情况下修正载具相对于晶圆的旋转方向的位置没有任何公开。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于,提供一种气相成长装置,前述气相成长装置能够在俯视观察气相成长装置的情况下修正载具相对于晶圆的旋转方向的位置的偏离。

本发明是一种气相成长装置,使用支承晶圆的环状的载具,在前述晶圆处形成CVD膜,其特征在于,具备装载锁定室,前述装载锁定室设置有支承前述载具的架,在前述载具和前述架处设置有修正机构,前述修正机构修正沿着前述晶圆的周向的前述载具的旋转方向的位置。

在本发明中,更优选为,前述修正机构包括限制前述载具的顺时针的旋转及逆时针的旋转的一对修正机构。

在本发明中,更优选为,前述修正机构包括俯视观察装置的情况下修正前述载具的上下方向及左右方向的位置的修正机构。

在本发明中,更优选为,前述修正机构包括设置于前述载具的第1卡合部和设置于前述架的第2卡合部。

在本发明中,更优选为,前述第2卡合部具备与前述第1卡合部卡合的卡合面、使前述载具相对于前述架相对地旋转的旋转面、确定前述载具相对于前述架的修正位置的定位面。

在本发明中,更优选为,前述第1卡合部具备与前述第2卡合部卡合的卡合面、使前述载具相对于前述架相对地旋转的旋转面、确定前述载具相对于前述架的修正位置的定位面。

在本发明中,更优选为,前述卡合面和前述旋转面是同一面。

在本发明中,更优选为,前述架是将至少两个前述载具上下地支承的架,在最上层的架处不设置前述修正机构。

在本发明中,更优选为,前述CVD膜是硅外延膜。

在本发明中,更优选为,将多个处理前的前述晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、前述装载锁定室及晶圆移载室向在前述晶圆处形成前述CVD膜的前述反应室顺次搬运,并且将多个处理后的前述晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运,前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通,并且经由第2门与前述晶圆移载室连通,前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通,在前述晶圆移载室处设置有第1机器人,前述第1机器人将被搬运至前述装载锁定室的处理前的前述晶圆以支承于载具的状态投入前述反应室,并且,将在前述反应室处结束处理的处理后的前述晶圆以支承于载具的状态从前述反应室取出来搬运至前述装载锁定室,在前述工厂接口处设置有第2机器人,前述第2机器人将处理前的前述晶圆从前述晶圆收纳容器取出,借助在前述装载锁定室待机的载具支承,并且将被搬运至前述装载锁定室的支承于载具的处理后的前述晶圆收纳至晶圆收纳容器,在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。

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