[发明专利]采用替代N型FET源极/漏极(S/D)以避免或防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路以及相关制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)电路，包括：

第一鳍部，在衬底的P型区域中从所述衬底延伸；

第二鳍部，在所述衬底的N型区域中从所述衬底延伸，所述第二鳍部基本上平行于所述第一鳍部；

在所述第一鳍部上的P型外延(epi)源极/漏极(S/D)(epi-S/D)；

在所述第二鳍部上的N型epi-S/D；

在所述P型epi-S/D和所述N型epi-S/D上方的层间电介质(ILD)材料；以及

边界层，所述边界层在所述ILD材料和所述P型epi-S/D之间具有厚度，并且在所述ILD材料与所述N型epi-S/D之间具有所述厚度。

2.根据权利要求1所述的FinFET电路，其中：

所述边界层的第一侧与所述ILD材料接触，并且所述边界层的第二侧与所述P型epi-S/D以及所述N型epi-S/D接触。

3.根据权利要求1所述的FinFET电路，还包括：

第一接触部，所述第一接触部穿过所述ILD材料，电耦合至所述N型epi-S/D的未被所述边界层覆盖的部分，以及

第二接触部，所述第二接触部穿过所述ILD材料，电耦合至所述P型epi-S/D的未被所述边界层覆盖的部分。

4.根据权利要求1所述的FinFET电路，其中所述P型epi-S/D和所述N型epi-S/D至少通过所述边界层的在所述P型epi-S/D上的第一部分和所述边界层的在所述N型epi-S/D上的第二部分分隔开。

5.根据权利要求1所述的FinFET电路，其中所述边界层由蚀刻停止层组成。

6.根据权利要求1所述的FinFET电路，其中所述边界层包括：

保护层；以及

蚀刻停止层。

7.根据权利要求6所述的FinFET电路，其中：

所述保护层直接在所述N型epi-S/D和所述P型epi-S/D上；并且

所述蚀刻停止层在所述保护层和所述ILD材料之间。

8.根据权利要求1所述的FinFET电路，被集成在集成电路(IC)中。

9.根据权利要求1所述的FinFET电路，被集成到选自由以下组成的所述组的设备中：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、全球定位系统(GPS)设备、移动电话、蜂窝电话、智能电话、会话发起协议(SIP)电话、平板电脑、平板手机、服务器、计算机、便携式计算机、移动计算设备、可穿戴计算设备、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监测器、计算机监测器、电视、调谐器、收音机、卫星收音机、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频盘(DVD)播放器、便携式数字视频播放器、汽车、车辆组件、航空电子系统、无人机、以及多轴直升机。

10.一种在N型鳍式场效应晶体管(FinFET)(NFET)的鳍部上形成N型外延(epi)源极/漏极(S/D)(epi-S/D)的方法，所述N型外延(epi)源极/漏极(epi-S/D)基本上平行于FinFET电路中的P型FinFET(PFET)的鳍部上的P型epi-S/D，包括：

形成从衬底的P型区域延伸的第一鳍部和从所述衬底的N型区域延伸的、基本上平行于所述第一鳍部的第二鳍部；

在所述第一鳍部上形成第一P型epi-S/D，并且在所述第二鳍部上形成第二P型epi-S/D；

在所述第一P型epi-S/D和所述第二P型epi-S/D上形成边界层；

去除所述边界层的部分以暴露所述第二P型epi-S/D的部分；

从所述第二鳍部之上的所述边界层的剩余结构内去除所述第二P型epi-S/D；以及

在所述第二鳍部之上的所述边界层的所述剩余结构内形成所述第二鳍部上的N型epi-S/D。