[发明专利]弹性波装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，具备：

支承基板；

压电体层，设置在所述支承基板上；以及

IDT电极，设置在所述压电体层上，并具有多个电极指，

所述支承基板是碳化硅基板，该碳化硅基板是3C-SiC型的立方晶构造，

所述压电体层是钽酸锂层或铌酸锂层，

所述弹性波装置利用SH波作为主模。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述压电体层是钽酸锂层。

3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，

声表面波的传播方向和所述碳化硅基板的晶体构造中的[001]方向所成的角度为0°以上且20°以下，

将所述碳化硅基板的晶体构造中的[100]方向和所述IDT电极的所述多个电极指延伸的方向所成的角度设为α，将所述钽酸锂层的欧拉角设为此时，满足下述的式1以及式2，

[数学式1]

θ_LT≤-0.0000002385α⁵+0.0000526308α⁴-0.0035721517α³+0.0638600888α²+0.4558367918α+106.5910094271

…式1

[数学式2]

θ_LT≥-0.0000001962α⁵+0.0000459691α⁴-0.0033813638α³+0.0717339858α²+0.2871014600α+150.5064489119

…式2。

4.根据权利要求2或3所述的弹性波装置，其中，

将所述碳化硅基板的欧拉角设为将所述IDT电极的厚度设为T_IDT，此时，满足下述的式3，

[数学式3]

T_IDT-0.0000086722ψ_SiC³+0.0003976592ψ_SiC²-0.0002692711ψ_SiC+0.0566210388

…式3。

5.根据权利要求2～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述IDT电极的厚度为0.07λ以下。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的弹性波装置，其中，

还具备：低声速膜，设置在所述碳化硅基板与所述钽酸锂层之间，

在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述钽酸锂层传播的体波的声速低。

7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，

所述低声速膜的厚度为0.1λ以上且0.15λ以下。

8.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，

所述低声速膜的厚度为0.15λ以上且0.2λ以下。

9.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，

所述低声速膜的厚度为0.2λ以上。

10.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

所述压电体层是铌酸锂层。

11.根据权利要求10所述的弹性波装置，其中，

在将所述铌酸锂层的欧拉角设为时，60°≤θ_LN≤175°。