[发明专利]弹性波装置

说明书

本发明提供一种使用碳化硅基板作为支承基板并能够抑制高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板；压电体层，设置在支承基板上；以及IDT电极(5)，设置在压电体层上，并具有多个电极指。支承基板是碳化硅基板(2)，该碳化硅基板(2)是3C‑SiC型的立方晶构造。压电体层是钽酸锂层(4)或铌酸锂层。利用SH波作为主模。

技术领域

本发明涉及弹性波装置。

背景技术

以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1公开了弹性波装置的一个例子。在该弹性波装置中，在支承基板上设置有压电膜，并在压电膜上设置有IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极。对支承基板使用硅、碳化硅等。对压电膜使用钽酸锂、铌酸锂等。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/086639号

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，根据本申请发明人的研究，明确了如下内容，即，根据上述那样的弹性波装置中的支承基板所使用的碳化硅的晶体的形态等，有可能产生由高阶模造成的大的杂散。

本发明的目的在于，提供一种使用碳化硅基板作为支承基板并能够抑制高阶模的弹性波装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明涉及的弹性波装置具备支承基板、设置在支承基板上的压电体层以及设置在压电体层上并具有多个电极指的IDT电极，支承基板是碳化硅基板，该碳化硅基板是3C-SiC型的立方晶构造，压电体层是钽酸锂层或铌酸锂层，该弹性波装置利用SH波作为主模。

发明效果

根据本发明，能够提供一种使用碳化硅基板作为支承基板并能够抑制高阶模的弹性波装置。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。

图2是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

图3是示出碳化硅的晶轴的定义的示意图。

图4是示出碳化硅的(100)面的示意图。

图5是示出碳化硅的(110)面的示意图。

图6是示出本发明的第1实施方式以及第1比较例中的高阶模的强度的图。

图7是示出钽酸锂层的切割角和关于SH波以及SV波的机电耦合系数的关系的图。

图8是示出IDT电极的厚度和Q值的关系的图。

图9是示出作为声表面波的传播方向的S方向和碳化硅基板的晶体构造中的[001]方向所成的角的角度与主模的特性的关系的图。

图10是用于说明角度α的示意图。

图11是示出钽酸锂层的欧拉角中的θ_LT、角度α以及由瑞利波造成的杂散的机电耦合系数ksaw²的关系的图。

图12是示出碳化硅基板的欧拉角中的ψ_SiC和成为V_Low＝V_SH的IDT电极的厚度T_IDT的关系的图。

图13是本发明的第1实施方式的变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。

图14是示出低声速膜的厚度和相对带宽的关系的图。