[发明专利]用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法

说明书

提供了一种处理衬底的方法，所述衬底具有形成在其上的金属氧化物抗蚀剂层，所述方法包括以下步骤：将所述衬底曝光于图案化辐射以形成包括位于所述金属氧化物抗蚀剂层中的多个特征的图案；将所述衬底的包括至少一个所述特征的一部分曝光于调节辐射，由此引起所述金属氧化物抗蚀剂层在所述部分中收缩。也提供使计算机设备执行上述方法的计算机程序、和其上存储有这种计算机程序的计算机程序产品，正如具有适于执行上述方法或运行上述程序的处理器的设备，诸如光刻设备。所述方法和设备可以导致临界尺寸均匀性的改善。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年11月7日提交的欧洲申请19207681.8的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法。特别地，但非排他性地，本发明涉及改善衬底上的特征的临界尺寸(CD)均匀性和/或增加曝光宽容度。本发明可以被用于所有形式的光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射的波长确定了能够在所述衬底上形成的特征的最小大小。使用EUV辐射(所述EUV辐射是具有在4nm-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上形成比使用DUV辐射(例如具有193nm的波长)的光刻设备更小的特征。

一些光刻设备，特别是那些使用EUV辐射的光刻设备，使用具有金属氧化物光致抗蚀剂或光刻胶(MOR)的衬底作为光敏感层或感光层。这些衬底通过单次曝光EUV而被图案化，然后被后处理，这可能包括曝光后焙烤和显影，以及可能的硬焙烤。作为这种处理的结果，所产生的CD均匀性可能低于期望值。

发明内容

本发明的目的是提供处理衬底的方法，所述方法改善所述衬底的临界尺寸均匀性。

在本发明的实施例中，提供了一种处理衬底的方法，所述衬底具有形成在其上的金属氧化物抗蚀剂层，所述方法包括以下步骤：将所述衬底曝光于图案化辐射以形成包括位于所述金属氧化物抗蚀剂层中的多个特征的图案；将所述衬底的包括至少一个所述特征的一部分曝光于调节辐射，由此引起所述金属氧化物抗蚀剂层在所述部分中收缩。

在本发明的另外的实施例中，提供了一种包括计算机可读指令的计算机程序，所述计算机可读指令当在适当的计算机设备上运行时促使所述计算机设备执行上述实施例的方法，以及提供了一种在其上存储有这种计算机程序的计算机可读介质。

在本发明的另一个实施例中，提供了一种具有处理器的设备，所述处理器专门适于执行上述第一实施例的方法的步骤和/或运行上述实施例的计算机程序。

附图说明

现在将仅以示例的方式，参考附图来描述本发明的实施例，其中相对应的附图标记指示相对应的部分或部件，并且在附图中：

图1是包括光刻设备和辐射源的光刻系统的示意性图示；和

图2是示出根据本发明实施例的方法对曝光宽容度的影响的曲线图。

具体实施方式

图1是光刻系统的示意性图示。所述光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。所述辐射源SO配置成产生极紫外(EUV)辐射束B。所述光刻设备LA包括照射系统IL、配置成支撑图案形成装置MA的支撑结构MT、投影系统PS、以及配置成支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置成在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节辐射束B。投影系统被配置为将辐射束B(现在由图案形成装置MA图案化)投影到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将被图案化的辐射束B与先前形成于衬底W上的图案对准。