[发明专利]流体压力缸在审
申请号: | 202080077917.5 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN114729655A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 内山英树;须田健嗣;斋藤真实 | 申请(专利权)人: | SMC株式会社 |
主分类号: | F15B15/28 | 分类号: | F15B15/28 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 崔巍 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 压力 | ||
1.一种流体压力缸,通过安装于缸筒(16)的第一MR传感器(28)和第二MR传感器(30)来检测安装于活塞(18)的磁铁(26)的磁场,由此对所述活塞位于规定位置进行检测,该流体压力缸(10)的特征在于,
所述第一MR传感器和所述第二MR传感器由第一磁阻效应元件图案(28a)和第二磁阻效应元件图案(28b)组合而成,该第一磁阻效应元件图案的电阻值对应于与所述活塞的轴向平行的方向的磁场的强度而减少,该第二磁阻效应元件图案的电阻值对应于与所述活塞的径向平行的方向的磁场的强度而减少,所述第一MR传感器与所述第二MR传感器隔开规定的间隔配置,以使得在所述第一MR传感器接收到最多的与所述活塞的轴向平行的方向的所述磁铁的磁场分量时,所述第二MR传感器接收到最多的与所述活塞的径向平行的方向的所述磁铁的磁场分量。
2.根据权利要求1所述的流体压力缸,其特征在于,
具备传感器模块(32),该传感器模块与所述第一MR传感器和所述第二MR传感器连接,所述传感器模块具备:第一比较部(36a),该第一比较部将所述第一MR传感器的输出与大于基准输出的接通阈值进行比较;第三比较部(36c),该第三比较部将所述第二MR传感器的输出与所述接通阈值进行比较;第二比较部(36b),该第二比较部将所述第一MR传感器的输出与小于所述基准输出的切断阈值进行比;以及第四比较部(36d),该第四比较部将所述第二MR传感器的输出与所述切断阈值进行比较。
3.根据权利要求2所述的流体压力缸,其特征在于,
所述传感器模块具备位置判定部(38),在所述第一MR传感器的输出为所述接通阈值以上且所述第二MR传感器的输出为所述切断阈值以下时,该位置判定部将开关信号从切断切换为接通,在所述第一MR传感器的输出为所述切断阈值以下且所述第二MR传感器的输出为所述接通阈值以上时,该位置判定部将所述开关信号从接通切换为切断。
4.根据权利要求2所述的流体压力缸,其特征在于,
所述流体压力缸能够进行所述接通阈值和所述切断阈值的设定变更。
5.根据权利要求1所述的流体压力缸,其特征在于,
具备传感器模块,该传感器模块与所述第一MR传感器和所述第二MR传感器连接,所述传感器模块具备诊断部(40、42),该诊断部对所述第一MR传感器的输出的最大值和所述第二MR传感器的输出的最大值是否减少了规定以上进行监视。
6.一种流体压力缸,通过安装于缸筒的第一MR传感器、第二MR传感器以及第三MR传感器(72)对安装于活塞的磁铁的磁场进行检测,由此对所述活塞位于规定位置进行检测,该流体压力缸(70)的特征在于,
所述第一MR传感器、所述第二MR传感器以及所述第三MR传感器由第一磁阻效应元件图案和第二磁阻效应元件图案组合而成,该第一磁阻效应元件图案的电阻值对应于与所述活塞的轴向平行的方向的磁场的强度而减少,该第二磁阻效应元件图案的电阻值对应于与所述活塞的径向平行的方向的磁场的强度而减少,所述第一MR传感器、所述第二MR传感器以及所述第三MR传感器在与所述活塞的轴向平行的方向上以规定的间隔排列配置,以使得在所述第一MR传感器接收到最多的与所述活塞的轴向平行的方向的所述磁铁的磁场分量时,所述第二MR传感器和所述第三MR传感器接收到最多的与所述活塞的径向平行的方向的所述磁铁的磁场分量。
7.根据权利要求6所述的流体压力缸,其特征在于,
具备传感器模块,该传感器模块与所述第一MR传感器、所述第二MR传感器以及所述第三MR传感器连接,所述传感器模块具备:第一比较部,该第一比较部将所述第一MR传感器的输出与大于基准输出的接通阈值进行比较;第三比较部,该第三比较部将所述第二MR传感器的输出与所述接通阈值进行比较;第二比较部,该第二比较部将所述第一MR传感器的输出与小于所述基准输出的切断阈值进行比较;第四比较部,该第四比较部将所述第二MR传感器的输出与所述切断阈值进行比较;以及第五比较部(36e),该第五比较部将所述第三MR传感器的输出与所述接通阈值进行比较。
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