[发明专利]流体压力缸

说明书

第一MR传感器(28)和第二MR传感器(30)由第一磁阻效应元件图案和第二磁阻效应元件图案组合而成，第一MR传感器与第二MR传感器隔开规定的间隔(L)配置，以使得在第一MR传感器接收到最多的与活塞(18)的轴向平行的方向的磁铁(26)的磁场分量时，第二MR传感器接收到最多的与活塞的径向平行的方向的磁铁的磁场分量。

技术领域

本发明涉及一种流体压力缸，尤其涉及一种具备位置检测机构的流体压力缸。

背景技术

以往，已知有如下的流体压力缸，该流体压力缸将磁铁(永久磁石)安装于活塞，并在缸筒设置对磁铁的磁场进行检测的磁气传感器，由此来检测活塞的位置。

当在存在外部磁场的环境下使用这样的流体压力缸的情况下，可能会受到外部磁场的影响而误检测活塞的位置。

日本实开平4-59404号公报记载了一种抑制外部磁场导致的误动作的产生的流体压作动设备的位置检测装置。该位置检测装置在内置有永久磁石的活塞的位移方向上配设有第一检测传感器和第二检测传感器，因此通过对第一检测传感器的输出和第二检测传感器的输出进行减法处理来抵消外部磁场带来的影响。

但是，在日本实开平4-59404号公报中，只考虑了像焊接线路中的外部磁场那样的、作用于第一检测传感器的磁场与作用于第二检测传感器的磁场相同的外部磁场。希望能够通过简单的磁传感器的结构等来防止在作用有各种外部磁场时错误地检测活塞的位置的流体压力缸。

发明内容

本发明是以这样的情况为背景而做成的，其目的在于提供一种有效地活用磁阻效应元件，从而即使作用有各种外部磁场，也不会误检测活塞的位置的流体压力缸。

本发明的流体压力缸通过安装于缸筒的第一MR传感器和第二MR传感器来检测安装于活塞的磁铁的磁场，由此对活塞位于规定位置进行检测，第一MR传感器和第二MR传感器由第一磁阻效应元件图案和第二磁阻效应元件图案组合而成，该第一磁阻效应元件图案的电阻值对应于与活塞的轴向平行的方向的磁场的强度而减少，该第二磁阻效应元件图案的电阻值对应于与活塞的径向平行的方向的磁场的强度而减少。并且，第一MR传感器与第二MR传感器隔开规定的间隔配置，以使得在第一MR传感器接收到最多的与活塞的轴向平行的方向的磁铁的磁场分量时，第二MR传感器接收到最多的与活塞的径向平行的方向的磁铁的磁场分量。

另外，本发明的流体压力缸也可以通过安装于缸筒的第一MR传感器、第二MR传感器以及第三MR传感器来检测安装于活塞的磁铁的磁场，由此对活塞位于规定位置进行检测。第一MR传感器、第二MR传感器以及第三MR传感器由第一磁阻效应元件图案和第二磁阻效应元件图案组合而成，该第一磁阻效应元件图案的电阻值对应于与活塞的轴向平行的方向的磁场的强度而减少，该第二磁阻效应元件图案的电阻值对应于与活塞的径向平行的方向的磁场的强度而减少。并且，第一MR传感器、第二MR传感器以及第三MR传感器在与活塞的轴向平行的方向上以规定的间隔排列配置，以使得在第一MR传感器接收到最多的与活塞的轴向平行的方向的磁铁的磁场分量时，第二MR传感器和第三MR传感器接收到最多的与活塞的径向平行的方向的磁铁的磁场分量。

根据上述流体压力缸，通过有效地活用MR传感器的功能，能够精度良好地检测活塞的位置，并且能够在作用有各种外部磁场时防止误检测活塞的位置。

本发明的流体压力缸将具备分别对彼此正交的两个方向做出反应的一对磁阻效应元件图案的多个MR传感器隔开规定的间隔配置，能够精度良好地检测活塞的位置，并且即使作用有各种外部磁场，也不用担心误检测活塞的位置。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的流体压力缸位于规定的动作位置时的示意图。

图2是用示意图表示图1的流体压力缸所具备的MR传感器的结构的图。

图3是用电路图表示图1的流体压力缸所具备的MR传感器的结构的图。