[发明专利]用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物

说明书

本发明涉及一种用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，涉及一种能够用于制造显示器的所有工艺的光刻胶剥离液组合物。更具体地，本发明的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物能够应用于所有过渡金属及氧化物半导体电线，具有优异的去除在硬烘烤(Hard Baked)工艺、注入(Implant)工艺及干法蚀刻(Dry Etch)工艺后产生的变性的光刻胶的能力。尤其，示出对于干法蚀刻后易受腐蚀的铜(Cu)线图案边缘部分进一步特化的腐蚀抑制效果。

技术领域

本发明涉及一种用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，涉及一种能够用于制造显示器的所有工艺的光刻胶剥离液组合物。更具体地，本发明的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物能够应用于所有过渡金属及氧化物半导体电线，具有优异的去除在硬烘烤(Hard Baked)工艺、注入(Implant)工艺及干法蚀刻(Dry Etch)工艺后产生的变性的光刻胶的能力。尤其，示出对于干法蚀刻后易受腐蚀的铜(Cu)线图案边缘(pattern edge)部分进一步特化的腐蚀抑制效果。

背景技术

在平面显示器(FPD)的制造工艺中，一种光刻技术工艺(Photo-lithography)被广泛的用于在基板上形成规定的图案。这种光刻技术工艺主要由一系列如曝光工艺、干法或湿法蚀刻工艺和灰化(ashing)等的工艺组成，以及在基板上涂敷并曝光光刻胶(PhotoResist)后，在其上进行干法或湿法蚀刻以形成图案。因此，需要使用光刻胶剥离剂去除留在金属线上的光刻胶。

在开始使用剥离液的早期，通常使用有机剥离液，但之后在工艺中逐渐需要更强的剥离力，因此使用了包含水的水性剥离液。水性剥离液提供强剥离力，但具有金属线等易受腐蚀的问题。

尤其，对于干法蚀刻后易受腐蚀的铜线图案边缘部分，需要更高的防腐蚀性能，这是因为当主要使用的烷醇胺类与水混合后产生了氢氧离子，导致对包括铜和铝在内的金属腐蚀性的显著增加。因此，需要用于防止金属线的腐蚀的特殊的缓蚀剂。

为了解决这种问题，研究了各种缓蚀剂，其中，最常用的缓蚀剂为硫基唑类化合物。但是，硫基唑类化合物具有在蚀刻后性能在铜线图案边缘部分降低的倾向，硫具有析出或再吸附可能性。

将来，上述的图案将发展为更精细的图案，由此，需要更高的防腐蚀力和优秀的剥离力。尤其，由于上述的问题，需要可代替硫基唑类化合物的无硫(Non sulfur)缓蚀剂。

本发明人研究在干法蚀刻之后易受腐蚀的铜线的图案边缘部分具有更优秀的防腐蚀性能且保持优秀的剥离力的无硫缓蚀剂的过程中，发现具有特定化学结构的化合物具有上述的效果，并完成了本发明。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国授权专利10-1089211

专利文献2：韩国公开专利10-2017-0019871

发明内容

技术问题

本发明涉及解决前述的硫类缓蚀剂的问题的一种用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物。

本发明的另一目的在于，涉及一种光刻胶剥离液组合物，其对于铜、铝(Al)及氧化物金属线，与是否水的含量无关地，具有非常优秀的防腐蚀力及剥离力的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，尤其，包含可适用于在干法蚀刻后易受腐蚀的铜线的图案边缘部分的无硫缓蚀剂。

技术方案

为了实现上述的目的，本发明提供一种光刻胶剥离液组合物，其可代替硫基唑类化合物，同时，包含具有与现有的光刻胶剥离液组合物相比更优秀的防腐蚀力及剥离力的无硫化合物。

具体地，根据本发明的一具体例，本申请提供下述的一种光刻胶剥离液组合物，其包括：

(a)0.01重量百分比～3重量百分比的下述化学式1的过渡金属及金属氧化物缓蚀剂；