[发明专利]低阻抗交叉点架构

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在包括电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料；

在所述分层组合件上所述热阻障材料上方沉积第一导电材料的第一层；

在所述分层组合件的第一区域处蚀刻穿过所述分层组合件以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙；

在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路，所述导电通路从对应于所述分层组合件的底部的第一高度延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的第二高度；及

在所述第一导电材料的所述第一层及所述导电通路上方沉积所述第一导电材料的第二层，其中所述第一导电材料的所述第二层与所述第一导电材料的所述第一层直接接触且在所述第一导电材料的所述第一层与所述导电通路之间提供导电路径。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在沉积所述第一导电材料的所述第二层之前抛光所述第一导电材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述间隙中沉积电介质材料，其中所述导电通路延伸穿过所述间隙中的所述电介质材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

在沉积所述电介质材料之前在所述分层组合件上方沉积衬里材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：

利用第一浆料执行第一平坦化过程，所述第一平坦化过程移除所述衬里材料的第一部分，其中所述第一部分是位于所述第一导电材料的所述第一层上方的所述衬里材料的水平部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：

利用第二浆料执行第二平坦化过程，所述第二平坦化过程移除所述衬里材料的第二部分，其中所述第二部分是与所述第一导电材料的所述第一层的端接触的所述衬里材料的垂直部分的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一区域处蚀刻穿过所述分层组合件之前在所述分层组合件上方沉积盖材料。

8.一种存储器装置，其包括：

第一部分，其包括：

第一图案化层，其包括电极材料；

第二图案化层，其包括存储器材料；及

第三图案化层，其包括导电材料及热阻障材料；及

第二部分，其包括：

第四图案化层，其包括穿过电介质材料的多个通路，所述多个通路中的至少一个通路从对应于所述第一图案化层的底部的第一高度延伸到超过所述第三图案化层中的所述热阻障材料的高度的第二高度；及

第五图案化层，其包括所述导电材料，其中所述第五图案化层中的所述导电材料的厚度小于所述第三图案化层中的所述导电材料的厚度，其中所述第五图案化层的所述导电材料与所述第三图案化层的所述导电材料直接接触，且在所述第三图案化层的所述导电材料与所述第四图案化层的所述至少一个通路之间提供导电路径。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其进一步包括：

衬里材料，其与所述第一图案化层、所述第二图案化层及所述第三图案化层接触，其中所述衬里材料在所述存储器装置的所述第一部分与所述存储器装置的所述第二部分之间形成分离阻障。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述衬里材料包括在第一方向上延伸的第一部分及在第二方向上延伸的第二部分，其中所述第一部分与所述第一图案化层、所述第二图案化层及所述第三图案化层接触，且其中所述第二部分被所述多个通路刺穿。

11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述导电材料的图案化构件与所述第四图案化层的通路直接接触。

12.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述热阻障材料包括氮化钨硅。