[发明专利]低阻抗交叉点架构

说明书

本申请案涉及低阻抗交叉点架构。制造系统可在包含电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料，之后沉积第一导电材料的第一层。所述制造系统可蚀刻所述分层组合件的第一区域以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙。所述制造系统可在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路，其中所述导电通路延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的高度。

交叉参考

本专利申请案主张由维尼加拉(VENIGALLA)等人在2019年11月14日申请、标题为“低阻抗交叉点架构(LOW RESISTANCE CROSSPOINT ARCHITECTURE)”的第16/684,520号美国专利申请案的优先权，所述申请案已让渡给其受让人且其全部内容以引用方式明确地并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及一或多个存储器系统且更具体来说，涉及低阻抗交叉点架构。

存储器装置广泛用来将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置最常存储两种状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储两种以上状态。为了存取经存储信息，所述装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为了存储信息，所述装置的组件可将状态写入或编程于存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)可甚至在不存在外部电源的情况下维持其经存储的逻辑状态达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可在与外部电源断开连接时丢失其经存储状态。FeRAM能够实现类似于易失性存储器的密度，但可归因于使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性质。

附图说明

图1说明根据如本文中所公开的实例的支持低阻抗交叉点架构的存储器装置的实例。

图2说明根据如本文中所公开的实例的支持低阻抗交叉点架构的存储器阵列的实例。

图3A到6B说明根据如本文中所公开的实例的作为支持低阻抗交叉点架构的制造过程的部分而执行的操作的实例。

图7及8展示说明根据如本文中所公开的实例的支持低阻抗交叉点架构的一或若干方法的流程图。

具体实施方式

可期望形成较小存储器单元，例如，以增加存储器阵列的存储密度，降低每个存储器单元的功率消耗，降低制造成本等。在一些情况中，存储器单元可经形成为三维(3D)结构(例如，具有一或多个存储器层，其中每一层在两个维度上延伸)。3D结构可经形成于衬底(例如，硅晶片)上方，且可由导电材料(例如，用于例如字线及位线的存取线)、存储器材料(例如，硫属化物)及其它材料(例如，电极材料、电介质材料)的层形成。随着存储器单元结构变小，制造过程的次级效应(例如，蚀刻损坏、材料污染等)可能对最终存储器单元的结构及功能具有更大影响。此外，通过执行额外材料(例如，电介质材料、通路材料)的阵列终止蚀刻及沉积，存储器单元阵列可经形成于衬底上方且电极(例如，通路)经形成于经制成穿过所述存储器单元阵列的存储器层或其它层(例如，衬底层)。