[发明专利]在NFT上累积光学透明材料以改进可靠性的原位NFT预处理

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在第一电平下将功率施加到磁记录头，其中所述第一电平小于将数据写入到磁介质所必需的功率量，其中所述磁记录头安置在所述磁介质上方；及

在大于所述第一电平的第二电平下将功率施加到所述磁记录头，其中所述第二电平大于所述第一电平，且其中所述第二电平足以将数据写入到所述磁介质。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电平大于所述第二电平的50％且小于所述第二电平的100％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一电平施加介于约2秒到约15分钟之间的时间周期。

4.根据权利要求1所述的方法，其中当在所述第一电平下施加功率时，涂抹物在所述磁记录头上形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述涂抹物包括在介于约800nm与约900nm之间的波长下为透明的材料。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述涂抹物包括氧化物。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述涂抹物包括含硅材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁记录头为热辅助磁记录(HAMR)头。

9.一种方法，其包括：

从磁记录头移除光学吸收涂抹物；

将透明涂抹物施加到所述磁记录头，其中所述施加在不将数据写入到磁记录介质的情况下进行；以及

将数据写入到所述磁记录介质。

10.根据权利要求9所述的方法，其中当所述磁记录头安置在所述磁记录介质上方时进行所述施加。

11.根据权利要求10所述的方法，其中当所述磁记录头未安置在所述磁记录介质上方时进行所述移除。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述施加包括将材料从所述磁记录介质沉积于所述磁记录头上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述材料在介于约800nm与约900nm之间的波长下为透明的。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述材料包括氧化物。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述材料包括含硅材料。

16.根据权利要求9所述的方法，其中所述施加在第一温度下进行，其中所述写入在第二温度下进行，且其中所述第二温度大于所述第一温度。

17.一种方法，其包括：

在不将数据写入到磁介质的情况下用基于硅的材料预处理磁记录头；

使用所述磁记录头将数据写入到所述磁介质；

清洁所述磁记录头以移除含光学吸收材料；以及

用所述基于硅的材料重新处理所述磁记录头。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述预处理、写入和重新处理都在所述磁记录头安置在所述磁介质上方的情况下进行。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述磁记录头为热辅助磁记录(HAMR)头。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述预处理和重新处理包括将硅材料沉积在所述磁记录头上，其中所述硅材料来源于所述磁介质。