[发明专利]晶片的研磨方法及硅晶片在审
| 申请号： | 202080080216.7 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114667594A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 小佐佐和明;杉森胜久;西冈一树;森田刚史 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/10;B24B37/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;司昆明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 研磨 方法 | ||
1.一种晶片的研磨方法，其是通过研磨率不同的2级以上的研磨步骤化学机械研磨晶片表面的方法，所述晶片的研磨方法的特征在于，
在加工余量为0.3μm以上的研磨步骤中使用的研磨垫的面内厚度不均即标准偏差在2.0μm以下。
2.根据权利要求1所述的晶片的研磨方法，其中，
所述2级以上的研磨步骤包括：
第1研磨步骤，研磨所述晶片表面0.3μm以上；及
第2研磨步骤，以低于所述第1研磨步骤的研磨率研磨所述晶片表面，
在所述第1研磨步骤中使用的研磨垫的面内厚度不均即标准偏差在2.0μm以下。
3.根据权利要求2所述的晶片的研磨方法，其中，
所述第1研磨步骤中所述晶片的研磨率在50nm/min以上。
4.根据权利要求2或3所述的晶片的研磨方法，其中，
通过所述第1及第2研磨步骤研磨的所述晶片表面的、由至少一个方向的尺寸为2mm且面积为2mm2以上且4mm2以下的区域构成的部位内的纳米形貌的50%临界值在1.0nm以下。
5.根据权利要求4所述的晶片的研磨方法，其中，
所述部位的尺寸为2mm2。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的晶片的研磨方法，其中，
所述第1研磨步骤中所述晶片对所述研磨垫的相对速度在0.3m/s以下,
在所述第1研磨步骤中使用的所述研磨垫的面内厚度不均即标准偏差在1.6μm以下。
7.根据权利要求6所述的晶片的研磨方法，其中，
通过所述第1及第2研磨步骤研磨的所述晶片上从最外周向内侧1mm的区域内的ROA在20nm以下。
8. 根据权利要求1～7中任一项所述的晶片的研磨方法，其还包括：
研磨垫厚度评价步骤，测量在晶片的化学机械研磨中使用的研磨垫的面内厚度不均，评价该厚度不均即标准偏差是否在2.0μm以下；及
研磨垫厚度调整步骤，当所述研磨垫的面内厚度不均即标准偏差不在2.0μm以下时，调整所述研磨垫的厚度分布，使该厚度不均即标准偏差在2.0μm以下，
使用面内厚度不均即标准偏差在2.0μm以下的所述研磨垫来研磨所述晶片表面0.3μm以上。
9.一种硅晶片，其特征在于，
由至少一个方向的尺寸为2mm且面积为2mm2以上且4mm2以下的区域构成的部位内的纳米形貌的50%临界值在1.0nm以下。
10.根据权利要求9所述的硅晶片，其中，
从最外周向内侧1mm位置中的晶片外周部的ROA在20nm以下。
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