[发明专利]具有梯度折射率的有机发光二极管光提取层在审
申请号: | 202080081553.8 | 申请日: | 2020-11-03 |
公开(公告)号: | CN114747038A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 于刚;陈重嘉;林宛瑜;房贤圣;徐立松;郭秉圣;罗伯特·简·维瑟 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 梯度 折射率 有机 发光二极管 提取 | ||
一种有机发光二极管(OLED)结构包括:OLED层堆叠,OLED层堆叠包括具有平坦部分的发光区;以及由UV固化油墨形成的光提取层,其设置在OLED层堆叠的发光区上。光提取层沿着垂直于平坦部分的轴具有折射率梯度。
技术领域
本揭示内容涉及有机发光二极管(OLED)显示装置的制造。
背景技术
有机发光二极管(OLED或有机LED),亦称为有机EL(有机电致发光)二极管,是一种发光二极管(LED),其中发光性电致发光层是有机化合物膜,会响应电流而发光。此有机层位于两个电极之间;通常,这些电极中的至少一个是透明的。OLED用于在装置中产生数字显示,这些装置为例如电视屏幕、电脑显示器、便携式系统(例如智能手表、智能手机、手持游戏机、PDA和膝上型电脑)。
OLED显示器可以采用无源矩阵(PMOLED)或有源矩阵(AMOLED)控制方案来驱动。在PMOLED方案中,显示器中的每一行(与列)都被一个接一个地依序控制,而AMOLED控制则使用薄膜晶体管背板直接到达和导通或关闭每个单独的像素,从而实现更快的响应、更高的分辨率和更大的显示尺寸。
与传统的LCD显示器相比,AMOLED显示器在高像素密度、出色的图像品质和薄型尺寸方面具有吸引力。AMOLED显示器是自发光装置,可以使用薄膜处理在薄而柔性的基板上制造,并且不需要LCD显示器中使用的背光。除了比LCD装置具有更高的电源效率外,AMOLED装置亦具有“仅在点亮时消耗功率”和“仅消耗与发光强度对应的所需功率”等特征。因此,AMOLED显示器已被视为用于电池供电的便携式产品的一种有吸引力的显示技术。
发明内容
在一个方面中,一种有机发光二极管(OLED)结构包括:OLED层堆叠,OLED层堆叠包括具有平坦部分的发光区;以及由UV固化油墨形成的光提取层,其设置在OLED层堆叠的发光区上。光提取层沿着垂直于平坦部分的轴具有折射率梯度。
实施方式可包含下列特征的一或更多特征。
光提取层的折射率可随着距平坦部分的距离而减小。光提取层可包括子层堆叠,所述堆叠中的相继子层具有不同的折射率。
UV阻挡层可定位在光提取层与OLED层堆叠之间。LEL层的厚度可为至多5μm,并且UV阻挡层的厚度可为50-500nm。
介电层可以包括阱结构阵列,每个阱结构具有倾斜侧壁和底部。阱结构可由平台隔开,并且每个阱可至少部分被光提取层填充。镜层可以位于介电层与OLED层堆叠之间。
光提取层可在基质材料中包括有机金属分子或金属氧化物纳米粒子。有机金属分子或金属氧化物纳米粒子的载量(loading)可沿着垂直于平坦部分的轴变化,以提供折射率梯度。有机金属分子或金属氧化物纳米粒子包括ZrO、ZrOC、AlO、AlOC、TiO、TiOC、ZnO或ZnOC中的一种或多种。
在另一方面中,一种制造有机发光二极管(OLED)结构的方法包括:在OLED层堆叠上方的UV阻挡层上沉积一系列不同折射率的UV可固化流体层;和用UV光将UV可固化流体层固化,以形成光提取层(LEL),光提取层沿垂直于OLED层堆叠的发光区的平坦部分的轴具有折射率梯度。
实施方式可包含下列特征的一或更多特征。
可通过从喷嘴喷射UV可固化流体的液滴实现沉积所述系列UV可固化流体层。液滴可被喷射以至少部分地填充介电层中的多个阱。可通过在每个阱中相继形成多个子层来沉积UV可固化流体层。形成多个子层的一子层可包括:将UV可固化流体的一个或多个液滴喷射到阱中并在形成后续子层之前固化流体。
液滴可包括有机金属分子或金属氧化物纳米粒子的溶液。用于系列层中的不同层的液滴在溶液中具有不同浓度的有机金属分子或金属氧化物纳米粒子以提供不同的折射率。有机金属分子或金属氧化物纳米粒子包括ZrO、ZrOC、AlO、AlOC、TiO、TiOC、ZnO或ZnOC中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择