[发明专利]封装核心组件及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置组件，包含：

硅核心结构，所述硅核心结构具有与第二侧相对的第一侧，所述硅核心层具有小于1000μm的厚度，所述硅核心结构进一步包含一个或多个导电互连，所述一个或多个导电互连穿过所述硅核心结构而形成并从所述第一表面与所述第二表面突出；

第一重新分配层，所述第一重新分配层形成于所述第一侧上；以及

第二重新分配层，所述第二重新分配层形成于所述第二侧上，其中所述第一重新分配层与所述第二重新分配层各自具有形成于其上的一个或多个导电触点。

2.如权利要求1所述的半导体装置组件，进一步包含：

氧化物层，所述氧化物层形成于所述第一侧与所述第二侧上。

3.如权利要求2所述的半导体装置组件，其中所述氧化物层包含热氧化物。

4.如权利要求2所述的半导体装置组件，进一步包含：

介电层，所述介电层形成于所述氧化物层上，所述介电层包含环氧树脂。

5.如权利要求4所述的半导体装置组件，其中所述环氧树脂包含二氧化硅颗粒。

6.如权利要求4所述的半导体装置组件，其中所述介电层具有在约5μm与约50μm之间的厚度。

7.如权利要求4所述的半导体装置组件，其中所述第一重新分配层与所述第二重新分配各自进一步包含：

粘合层，所述粘合层形成于所述介电层上，所述粘合层包含钼；

种晶层，所述种晶层形成于所述粘合层上；以及

铜层，所述铜层形成于所述种晶层之上。

8.如权利要求7所述的半导体装置组件，其中所述粘合层具有在约10nm与约500nm之间的厚度。

9.如权利要求4所述的半导体装置组件，进一步包含：

设置成穿过所述半导体装置组件的一个或多个通孔，所述一个或多个通孔中的每一者具有形成于其中的铜互连。

10.如权利要求9所述的半导体装置组件，其中所述一个或多个通孔中的每一者由所述介电层周向地定义。

11.如权利要求9所述的半导体装置组件，其中所述介电层设置于所述硅核心结构的所述第一侧与所述第二侧之上，并且其中所述介电层穿过所述一个或多个通孔从所述第一侧穿过所述硅核心结构延伸至所述第二侧。

12.一种半导体装置组件，包含：

硅核心结构，所述硅核心结构具有小于1000μm的厚度；

钝化层，所述钝化层围绕所述硅核心结构，所述钝化层包含热氧化物；以及

介电层，所述介电层形成于所述钝化层上，所述介电层包含环氧树脂，所述硅核心结构具有设置于其中的二氧化硅颗粒。

13.如权利要求12所述的半导体装置组件，其中所述硅核心结构包含结晶硅基板。

14.如权利要求12所述的半导体装置组件，进一步包含：

设置成穿过所述半导体装置组件的通孔的一个或多个阵列，所述一个或多个阵列的所述通孔中的每一者具有小于约500μm的直径。

15.如权利要求14所述的半导体装置组件，其中所述一个或多个阵列中的每一者中的所述通孔之间的节距具有在约40μm与1000μm之间的距离。

16.如权利要求14所述的半导体装置组件，所述硅核心结构具有与第二侧相对的第一侧，并且其中所述介电层设置于所述第一侧与所述第二侧之上，所述介电层进一步从所述第一侧延伸至所述第二侧，以周向地定义所述一个或多个阵列的所述通孔中的每一者。