[发明专利]封装核心组件及制造方法

说明书

本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

背景

领域

本公开的实施例总体涉及电子安装结构及其形成方法。更具体地，本文所述的实施例涉及半导体封装和PCB组件及其形成方法。

背景技术

由于针对小型化的电子装置和部件的需求不断增加，对利用更大的电路密度的更快的处理能力的需求对在这样的集成电路芯片的制造中所使用的材料、结构和工艺提出了对应需求。然而，除了朝向更大的集成度和性能的这些趋势之外，存在对降低制造成本的永恒追求。

一般而言，由于有机封装基板中的形成特征和连接的容易性以及与有机复合材料相关联的相对低的封装制造成本，已经在耦接至电路板(例如，印刷电路板(PCB))的有机封装基板上制造集成电路芯片。然而，随着电路密度的增加以及电子装置的进一步小型化，由于用于维持装置规模与相关联的性能要求的材料结构分辨率的限制，有机封装基板与常规互连PCB的利用变得不切实际。最近，已经利用被动式硅中介层作为重新分配层来制造2.5D和3D集成电路，以补偿与有机封装基板相关联的一些限制。硅中介层的利用通过电位驱动，以用于高带宽密度的低功率芯片对芯片通信，以及先进电子安装及封装应用中的异构集成寻求。然而，在硅中介层中的特征(诸如硅通孔(TSV))的形成仍然很困难且成本很高。特别地，高纵横比的硅通孔蚀刻、化学机械平面化和半导体后段工艺(BEOL)互连造成较高的成本。

因此，本领域需要具有增加的密度的改善的半导体封装和PCB核心组件及其形成方法。

发明内容

本公开总体涉及电子安装结构及其形成方法。

在一个实施例中，提供一种半导体装置组件。半导体装置组件包括硅核心结构，所述硅核心结构具有与第二表面相对的第一表面以及小于约1000μm的厚度。一个或多个导电互连穿过硅核心结构形成，并且从第一表面与第二表面突出。半导体装置组件进一步包括形成于第一表面上的第一重新分配层以及形成于第二表面上的第二重新分配层。第一重新分配层与第二重新分配层各自具有形成于其上的一个或多个导电触点。

在一个实施例中，提供一种半导体装置组件。半导体装置组件包括硅核心结构、钝化层和介电层。硅核心结构具有小于约1000μm的厚度。钝化层围绕硅核心结构，并且包括热氧化物。介电层形成于钝化层上，并且包括具有设置于其中的二氧化硅颗粒的环氧树脂。

在一个实施例中，提供一种半导体装置组件。半导体装置包括：硅核心结构；围绕硅结构并且包括热氧化物的钝化层；围绕钝化层并且由环氧树脂形成的介电层；以及形成于介电层上的重新分配层。重新分配层进一步包括：形成于介电层上并且由钼形成的粘合层；形成于粘合层上的铜种晶层；以及形成于铜种晶层上的铜层。

附图说明

为了能够详细理解本公开的上述特征，可通过参考实施例来获得以上简要概述的本公开的更具体描述，所述实施例中的一些图示于附图中。然而，应注意，附图仅图示示例性实施例，并且因此不应视为限制其范围，并且可以允许其他等效实施例。

图1A示意性地图示根据本文所述的实施例的半导体核心组件的横截面图。

图1B示意性地图示根据本文所述的实施例的半导体核心组件的横截面图。

图2为图示根据本文所述的实施例的用于形成图1A和图1B的半导体核心组件的工艺的流程图。

图3为图示根据本文所述的实施例的用于构造用于半导体核心组件的基板的工艺的流程图。