[发明专利]高效率微装置

权利要求书

1.一种固态微装置结构，其包括：

微装置，其形成于衬底上；

p及n掺杂层；

有源层，其位于至少所述两个掺杂层之间，同时垫经耦合到每一掺杂层，其中所述掺杂层中的至少一者小于所述有源层且位于所述有源层的周边内；且

两个耦合垫位于其中所述掺杂层较小的相同侧上。

2.根据权利要求1所述的装置，其中接触层形成于所述掺杂层的表面上，其中所述接触层可为欧姆层及垫或接合层的组合。

3.根据权利要求1所述的装置，其中“n”掺杂层经调制以接近所述装置的边缘具有较低导电性。

4.根据权利要求1所述的装置，其中钝化层可用于形成于所述n掺杂层的表面或侧壁及所述有源层的暴露表面上。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述钝化层可为金属绝缘体半导体(MIS)结构的形式。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源层是多量子阱或阻挡层。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述阻挡层经回蚀到所述掺杂层的大小。

8.根据权利要求1所述的装置，其中绝缘体层及金属层形成MIS结构。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述MIS结构可围绕所述n掺杂层的所述侧壁或表面且还可覆盖例如所述有源层的其它层。

10.根据权利要求8所述的装置，其中使用负电压加偏压于所述MIS结构以减少通过所述n掺杂层的所述侧壁的电流。

11.根据权利要求1所述的装置，其中VIA导致从所述装置的一侧到另一侧的触点，其中进一步所述VIA被电介质层及耦合到所述掺杂层的导电层钝化。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述导电层经耦合到接触层。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述导电层含有欧姆层以创建与所述掺杂层的较佳连接，其中进一步在所述导电层与所述掺杂层之间不存在钝化。

14.根据权利要求11所述的装置，其中所述VIA从顶侧形成或所述VIA从底侧形成，使得在从所述VIA区域移除所述掺杂层之后，在所述底侧的所述VIA外部仍存在所述导电层的部分。

15.根据权利要求14所述的装置，其中垫经形成以提供接入到所述导电层，使得所述垫通过电介质层与下层分离。

16.根据权利要求15所述的装置，其中垫可用于将所述微装置连接或接合到系统衬底且其中进一步，分离所述垫与所述下层的所述电介质层可延伸于表面的另一部分上。

17.根据权利要求16所述的装置，其中所述垫可小于或大于掺杂层。

18.根据权利要求2所述的装置，其中所述掺杂层可经图案化成若干较小区域且所述区域中的一者用于通过在其顶部上形成垫来连接到所述装置，同时其它区域可用作其它部分的载台。

19.根据权利要求15所述的装置，其中所述垫未形成与掺杂层的欧姆层，无所述电介质层。

20.根据权利要求15所述的装置，其中所述下层是可用于承载或不使用的所述掺杂层的部分，其中进一步，所述掺杂层的一些所述部分可为连续的，同时其它部分可连接到用于调制微装置的内场的电压以获得较佳性能。