[发明专利]高效率微装置

说明书

本公开涉及一种固态微装置结构，其具有：微装置，其形成于衬底上；p及n掺杂层；有源层，其位于至少所述两个掺杂层之间，垫经耦合到每一掺杂层，且其中所述n掺杂层经调制以接近所述装置的边缘具有较低导电性。本发明进一步涉及电介质层、导电层、钝化层及MIS结构。

技术领域

本发明涉及垂直固态装置、垂直固态装置的横向传导操控及其制造方法。本发明还涉及微装置集成阵列的制作。微装置阵列由装置衬底或系统衬底上的触点阵列界定。

背景技术

将微光电装置集成到系统衬底中可提供高性能及高功能系统。为改进成本且创建较高像素密度装置，应减小光电装置的大小。光电装置的实例是传感器及发光装置，例如(举例来说)发光二极管(LED)。然而，当减小这些装置的大小时，装置性能可开始受影响。针对性能降低的一些原因包含(但不限于)归因于缺陷的较高泄漏电流、接口处电荷拥挤、不平衡电荷及无用复合的例如俄歇(Auger)复合及非辐射复合。发光二极管(LED)及LED阵列可分类为垂直固态装置。仍需要改进垂直固态装置。

发明内容

本发明的目的是提供一种加偏压于半导体装置的壁以钝化缺陷及/或重新导向电流或平衡所述装置中的电荷的方法。

本发明还涉及一种固态微装置结构，其包括：形成于衬底上的微装置；p及n掺杂层；至少所述两个掺杂层之间的有源层，同时垫经耦合到每一掺杂层，其中所述掺杂层中的所述至少一者小于所述有源层且位于所述有源层的周边内；及所述两个耦合垫位于其中所述掺杂层较小的相同侧。另外，其中所述n掺杂层经调制以接近所述装置边缘具有较低导电性。

附图说明

在阅读以下详细描述及参考图式之后将明白本公开的以上及其它优点。

图1展示形成于衬底上的微装置。

图2展示形成于衬底上的具有MIS结构的微装置。

图3A展示形成于衬底上的具有有源层及VIA的微装置。

图3B展示图3A中的微装置从底面的视图。

图4A展示形成于衬底上的具有有源层、VIA及图案化掺杂层的微装置。

图4B展示图4A中的微装置从底面的视图。

图5A展示形成于衬底上的具有有源层、VIA及通过形成垫连接到装置的图案化掺杂层的微装置。

图5B展示图5A中的微装置从底面的视图。

图6A展示形成于衬底上的具有有源层、VIA及掺杂层的微装置，其中掺杂层中的一者小于有源层。

图6B展示图6A中的微装置从底面的视图。

图7A展示形成于衬底上的具有有源层、VIA及掺杂层及具有两个部分的接触垫的微装置。

图7B展示图7A中的微装置从底面的视图。

图7C展示形成于衬底上的具有有源层、VIA及掺杂层及在微装置的底面上延伸的钝化层的微装置。

具体实施方式

除非另有界定，否则本文中所使用的所有科技术语具有相同于由本发明所属领域的一般技术人员通常理解的含义的含义。如本说明书及权利要求书中所使用，单数形式“一(a/an)”及“所述”包含复数指涉物，除非上下文另有清楚指示。如本文中所使用的术语“包括”将被理解为意味着以下列表是非详尽的且可或可不包含任何其它额外适合项目，例如适当的一或多个另外特征、组件及/或元件。术语“装置”及“微装置”及“光电装置”可互换用于本文中。所属领域的技术人员将明白本文所描述的实施例独立于装置大小。术语“施体衬底”及“时间衬底”可互换用于本文中。然而，所属领域的技术人员明白本文中所描述的实施例独立于衬底。术语“系统衬底”及“接收器衬底”可互换用于本文中。然而，所属领域的技术人员明白本文所描述的实施例独立于衬底类型。