[发明专利]Ag合金溅射靶

说明书

该Ag合金溅射靶的特征在于，由如下组成的Ag合金构成：含有Ge、In及S且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，所述Ag合金中的S的含量为1质量ppm以上且150质量ppm以下。所述Ag合金优选在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge。

技术领域

本发明涉及一种在进行包含In、Ge及S的Ag合金的薄膜的成膜时使用的Ag合金溅射靶。

本申请主张基于2019年12月2日于日本申请的专利申请2019-218148号及2020年5月29日于日本申请的专利申请2020-094203号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

通常，由于Ag膜或Ag合金膜的光学特性及电特性优异，因此被用作各种部件的反射膜及导电膜，比如显示器或LED等的反射电极膜、触摸面板等的配线膜等。

在专利文献1中，公开有使用Ag合金作为有机EL元件的反射电极的构成材料。

在专利文献2中，公开有使用包含S的Ag合金作为显示器或LED等的反射电极膜、触摸面板等的配线膜等光存储介质、显示器等中设置的反射膜。

上述各种Ag合金膜通过由Ag合金构成的溅射靶形成。

专利文献1：日本特开2016-089215号公报

专利文献2：国际公开第2016/136590号

其中，由包含Ge和In的Ag合金构成的Ag合金膜的反射率及耐热性优异，例如尤其适合用作在有机EL元件中与有机层接触而形成的反射电极膜。

对于由包含Ge和In的Ag合金构成的Ag合金溅射靶而言，由于整体的色调为银白色，因此若在表面不均匀地进行与气氛气体中所包含的S的反应而产生由暗色系的硫化物引起的颜色不均，则容易使该颜色不均非常明显，存在商品价值降低的问题。

发明内容

该发明是鉴于上述的情况而完成的，目的在于提供一种Ag合金溅射靶，所述Ag合金溅射靶能够抑制因颜色不均而发生的外观不良，且能够进行反射率、耐硫化性及耐热性优异的Ag合金膜的成膜。

为了解决上述课题，本发明人进行深入研究的结果，得到以下见解：通过在包含Ge和In的Ag合金中还预先添加微量的S，能够抑制Ag合金溅射靶的表面与大气中的S不均匀地进行反应，从而能够抑制颜色不均的发生。

本发明是基于上述的见解而完成的，本发明的一方式所涉及的Ag合金溅射靶的特征在于，由如下组成的Ag合金构成：含有Ge、In及S且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，所述Ag合金中的S的含量为1质量ppm以上且150质量ppm以下。

根据上述方式的Ag合金溅射靶，通过使用包含Ge和In而且在1质量ppm以上且150质量ppm以下的范围内添加S的Ag合金，能够抑制Ag合金溅射靶的表面与大气中的S不均匀地进行反应，从而能够抑制因颜色不均而发生的外观不良。

在本发明的一方式所涉及的Ag合金溅射靶中，所述Ag合金可以在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge。

在这种情况下，能够进行在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge的Ag合金膜的成膜。这种组成的Ag合金膜的耐热性、耐硫化性及反射率尤其优异，例如尤其适合用作反射膜。

在本发明的一方式所涉及的Ag合金溅射靶中，根据舍勒方程式求出的所述Ag合金的微晶直径可以为以下。

在这种情况下，Ag合金的微晶直径为以下，因此催化活性变高而提高反应性，在其表面均匀地进行与气氛气体的反应，从而能够抑制颜色不均的发生。因此，能够抑制因颜色不均而发生的外观不良。