[发明专利]粘合片及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种粘合片，其具有依次配置有粘合剂层(X1)、热膨胀性基材层(Y1)、及非热膨胀性基材层(Y2)的层叠结构，

所述热膨胀性基材层(Y1)是在树脂基材中含有热膨胀性粒子而成的层，

所述树脂基材在120℃下的杨氏模量为2.05MPa以下。

2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述树脂基材含有选自丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂中的一种以上。

3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，所述树脂基材由树脂组合物(y-1)形成，该树脂组合物(y-1)含有通过照射能量射线而固化的树脂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片，其中，所述树脂基材在120℃下的杨氏模量为0.1MPa以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合片，其中，所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为50℃以上且低于125℃。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘合片，其中，所述粘合剂层(X1)在23℃下的厚度为3～10μm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的粘合片，其中，相对于所述热膨胀性基材层(Y1)的总质量(100质量％)，所述热膨胀性粒子的含量为1～30质量％。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的粘合片，其中，所述非热膨胀性基材层(Y2)在120℃下的杨氏模量为500MPa以上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的粘合片，其中，所述非热膨胀性基材层(Y2)为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的粘合片，其中，在所述非热膨胀性基材层(Y2)的与所述热膨胀性基材层(Y1)的层叠面为相反侧的一面进一步具有粘合剂层(X2)。

11.根据权利要求10所述的粘合片，其中，所述粘合剂层(X2)是通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层。

12.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：

将加工检查对象物粘贴于权利要求1～11中任一项所述的粘合片，

在对所述加工检查对象物实施选自加工及检查中的一种以上之后，将所述粘合片加热至所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)以上。

13.一种半导体装置的制造方法，该方法使用权利要求10或11所述的粘合片，且包括下述工序1A～3A、下述第一分离工序、及下述第二分离工序，所述粘合片中，所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为50℃以上且低于125℃，

工序1A：将加工对象物粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层(X2)、将支撑体粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层(X1)的工序；

工序2A：对所述加工对象物实施选自磨削处理及单片化处理中的一种以上处理的工序；

工序3A：在实施了所述处理后的加工对象物的与所述粘合剂层(X2)为相反侧的一面粘贴热固性膜的工序；

第一分离工序：将所述粘合片加热至所述膨胀起始温度(t)以上且低于125℃而将所述粘合剂层(X1)和所述支撑体分离的工序；

第二分离工序：将所述粘合剂层(X2)和所述加工对象物分离的工序。