[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

至少一个半导体元件(31、32)，在一面以及在板厚方向上与上述一面相反的背面分别具有主电极(31c、31e、32c、32e)；以及

布线部件，具有多个导体部和在上述板厚方向上在两个上述导体部之间配置接合材料(91d、92d)而形成的至少一个接合部(121、122)，上述多个导体部包括在上述板厚方向上以夹着上述半导体元件的方式分别配置在上述一面侧及上述背面侧并与对应的上述主电极电连接的至少一组散热部(41、42、51、52)和与上述散热部相连的多个端子部(C1、C2、E1、E2)；

在上述接合部的至少一个中，作为上述导体部的一个的第1导体部(51、52)在与作为上述导体部的另一个的第2导体部(E1、E2)对置的一侧的面上具有高浸润区域(151b、152b)和与上述高浸润区域相比对上述接合材料的浸润性低的低浸润区域(151a、152a)，该低浸润区域在从上述板厚方向观察的平面视图中与上述高浸润区域邻接设置以规定上述高浸润区域的外周；

上述高浸润区域在上述平面视图中具有重叠区域(151c、152c)和非重叠区域(151d、152d)，上述重叠区域是与上述第2导体部的上述接合部的形成区域重叠的区域、并且在至少一部分中配置有上述接合材料，上述非重叠区域是与上述重叠区域相连、并且不与上述第2导体部的接合部形成区域重叠的区域；

上述非重叠区域至少包括对于上述接合部将剩余的上述接合材料收容的收容区域(151e、152e)。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述收容区域在上述平面视图中仅与上述重叠区域的外周的一部分相连；

上述低浸润区域，以在与上述重叠区域和上述收容区域的排列方向及上述板厚方向正交的方向上夹着上述重叠区域和上述低浸润区域双方的方式，在上述正交的方向的两侧与上述高浸润区域的外周邻接。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述低浸润区域，在上述收容区域中与形成上述高浸润区域的外周的部分在整个区域中邻接。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述低浸润区域，将相互相连的上述重叠区域及上述非重叠区域一体地包围，与上述高浸润区域的外周在整个区域中邻接。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1导体部，作为上述高浸润区域而具有两个上述重叠区域、以及在两个上述重叠区域的排列方向上设在上述重叠区域之间并与上述重叠区域分别相连的上述收容区域。

6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1导体部，作为上述高浸润区域而具有两个上述收容区域、以及在两个上述收容区域的排列方向上设在上述收容区域之间并与上述收容区域分别相连的上述重叠区域。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第1导体部中，仅在上述高浸润区域及上述低浸润区域中的上述低浸润区域，形成有对上述接合材料的浸润性低的膜。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1导体部具有母材(160)、形成在上述母材的表面的金属膜(161)、以及凹凸氧化膜(162)，该凹凸氧化膜是与上述金属膜的主成分的金属相同的金属的氧化物并且表面连续而形成凹凸；

仅在上述低浸润区域，作为对上述接合材料的浸润性低的膜而形成有上述凹凸氧化膜。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述非重叠区域仅包括上述收容区域。

10.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述非重叠区域包括上述收容区域和窄宽度区域(151f、152f)，该窄宽度区域在与上述收容区域不同的位置与上述重叠区域相连、与上述重叠区域的排列方向的长度比上述收容区域短。