[发明专利]半导体装置

说明书

以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉(51)，在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉(51)在发射极端子侧的面上具有高浸润区域(151b)、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域(151b)邻接而设置以规定高浸润区域(151b)的外周、与高浸润区域(151b)相比对焊料的浸润性低的低浸润区域(151a)。高浸润区域(151b)在平面视图中具有重叠区域(151c)和与重叠区域(151c)相连的非重叠区域(151d)，重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域，在至少一部分中配置有焊料。非重叠区域(151d)至少包括收容剩余焊料的收容区域(151e)。

关联申请的相互参照

本申请基于2019年12月12日提出的日本专利申请第2019－224847号，这里通过参照而整体引用基础申请的内容。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

专利文献1公开了一种两面散热构造的半导体装置，具备在两面上具有主电极的半导体元件、和作为导体部而包括以夹着半导体元件的方式配置的散热部及与散热部相连的端子部的布线部件。现有技术文献的记载内容通过参照而作为本说明书的技术要素的说明加以引用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007－103909号公报

发明内容

在具备在板厚方向上在两个导体部之间配置接合材料而成的接合部的结构中，通过接合材料来吸收由于构成半导体装置的要素的尺寸公差、组装公差等而产生的高度的偏差。在高度向两个导体部的对置间隔变窄的方向偏差的情况下，剩余的接合材料从两个对置区域溢出从而将高度的偏差吸收。如果在导体部的一方设置专利文献1所记载那样的槽，则能够将剩余的接合材料收容。槽通过压力加工而形成。从上述的观点或未提及的其他观点来看，对于半导体装置要求进一步的改良。

本发明的一个目的在于，提供能够以简单的结构收容剩余的接合材料的半导体装置。

这里公开的半导体装置，具备：至少一个半导体元件，在一面以及与一面在板厚方向上相反的背面分别具有主电极；以及布线部件，具有多个导体部和在板厚方向上在两个导体部之间配置接合材料而形成的至少一个接合部，上述多个导体部包括在板厚方向上以夹着半导体元件的方式分别配置在一面侧及背面侧并与对应的主电极电连接的至少一组散热部、和与散热部相连的多个端子部。

在接合部的至少一个中，作为导体部的一个的第1导体部在与作为导体部的另一个的第2导体部对置的一侧的面上具有高浸润区域和与高浸润区域相比对接合材料的浸润性低的低浸润区域，该低浸润区域在板厚方向的平面视图中与高浸润区域邻接设置以规定高浸润区域的外周。

高浸润区域在平面视图中具有重叠区域和非重叠区域，重叠区域是与第2导体部的接合部的形成区域重叠的区域、在至少一部分中配置有接合材料，非重叠区域是与重叠区域相连、不与第2导体部的接合部形成区域重叠的区域。并且，非重叠区域至少包括对于接合部将剩余的接合材料收容的收容区域。

根据公开的半导体装置，作为高浸润区域的收容区域与重叠区域相连，剩余的接合材料容易从重叠区域向收容区域浸润扩散。剩余的接合材料被低浸润区域限制浸润扩散。由此，通过与高浸润区域邻接的低浸润区域，促进向收容区域的浸润扩散及/或抑制向收容区域之外的浸润扩散。由此，即使不设置槽也能够将剩余的接合材料收容到收容区域。结果，能够提供能够以简单的结构收容剩余的接合材料的半导体装置。

本说明书所公开的多个技术方案为了达成各自的目的而采用相互不同的技术手段。权利要求书及其权项中记载的括号内的标号例示地表示与后述实施方式的部分的对应关系，并不意欲限定技术范围。本说明书所公开的目的、特征及效果通过参照后续的详细说明及附图而更加明确。

附图说明