[发明专利]显示装置和用于制造该显示装置的方法在审
申请号: | 202080086387.0 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN114846613A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 吴元植;文秀美;姜信喆;赵显敏;李新兴;柳喆锺 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L21/768;H01L33/00;H01L33/36 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 用于 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和非显示区域,所述显示区域包括多个像素区域,所述非显示区域围绕所述显示区域;以及
像素,设置在所述多个像素区域中的每个中,
其中,所述像素包括:驱动电压线和至少一个晶体管,设置在所述基底上;第一电极和第二电极,在所述至少一个晶体管和所述驱动电压线上在一个方向上延伸并且彼此间隔开;堤图案,分别设置在所述第一电极和所述第二电极上;中间层,设置在所述堤图案上;多个发光元件,设置在沿着与所述一个方向交叉的另一方向相邻的两个中间层之间;第一接触电极,设置在两个相邻的中间层中的一个中间层上,并且连接到所述多个发光元件中的每个的两端中的一端;以及第二接触电极,设置在所述两个相邻的中间层中的剩余中间层上,并且连接到所述多个发光元件中的每个的所述两端中的剩余端。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述中间层包括绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述中间层是其中至少三个或更多个双层顺序地堆叠的多层,所述双层通过堆叠第一无机绝缘层和第二无机绝缘层而形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的折射率彼此不同。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极中的一个接触电极电连接到所述至少一个晶体管,并且剩余接触电极电连接到所述驱动电压线。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一电极和所述第二电极设置在同一层。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一电极和所述第二电极设置在不同的层。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每个在所述一个方向上延伸,并且针对与所述像素定位在同一像素列中的相邻的像素公共地设置。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述中间层包括导电材料。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述一个中间层设置在所述像素中,并且所述剩余中间层针对所述像素和相邻的像素公共地设置。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述像素还包括设置在所述第一电极和所述第二电极与所述堤图案之间的绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述一个中间层与所述第一电极和所述第二电极中的一个电极以及置于所述一个中间层与所述一个电极之间的所述绝缘层和与所述一个电极对应的堤图案形成电容器,并且
所述剩余中间层与所述第一电极和所述第二电极中的剩余电极以及置于所述剩余中间层与所述剩余电极之间的所述绝缘层和与所述剩余电极对应的堤图案形成电容器。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述像素还包括设置在所述绝缘层上、沿着所述一个方向延伸并且彼此间隔开的第一子电极和第二子电极,并且
所述第一子电极与所述第一电极叠置,并且所述第二子电极与所述第二电极叠置。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一电极和所述第一子电极以及置于所述第一电极与所述第一子电极之间的所述绝缘层形成电容器,并且
所述第二电极和所述第二子电极以及置于所述第二电极与所述第二子电极之间的所述绝缘层形成电容器。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述一个中间层覆盖所述第一子电极,并且电连接到所述第一子电极,并且
所述剩余中间层覆盖所述第二子电极,并且电连接到所述第二子电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的