[发明专利]显示装置和用于制造该显示装置的方法在审
申请号: | 202080086387.0 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN114846613A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 吴元植;文秀美;姜信喆;赵显敏;李新兴;柳喆锺 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L21/768;H01L33/00;H01L33/36 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 用于 制造 方法 | ||
显示装置可以包括:基底,包括像素区域;以及像素,设置在像素区域中的每个中。每个像素可以包括:晶体管和驱动电压线,设置在基底上;第一电极和第二电极,彼此间隔开;堤图案,设置到第一电极和第二电极中的每个上;中间层,设置到堤图案上;发光元件,设置在两个相邻的中间层之间;第一接触电极,设置在两个相邻的中间层之中的一个中间层上,并且连接到发光元件中的每个的两端之中的一端;以及第二接触电极,设置在两个相邻的中间层之中的另一中间层上,并且连接到发光元件中的每个的两端之中的另一端。
技术领域
本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着对信息显示的兴趣的增加以及对使用便携式信息介质的需求的增加,对显示装置的需求和商业化成为焦点。
发明内容
技术问题
本公开的目的是提供其中简化了制造工艺同时改善了发光元件的对准程度的显示装置。
另外,本公开的目的是提供能够通过使在发光元件的对准期间发生的缺陷最小化来改善发光元件的对准程度的显示装置。
另外,本公开的目的是提供制造上述显示装置的方法。
技术方案
根据本公开的实施例,显示装置可以包括:基底,包括显示区域和非显示区域,显示区域包括多个像素区域,非显示区域围绕显示区域;以及像素,设置在所述多个像素区域中的每个中。
在本公开的实施例中,像素可以包括:驱动电压线和至少一个晶体管,设置在基底上;第一电极和第二电极,在至少一个晶体管和驱动电压线上在一个方向延伸并且彼此间隔开;堤图案,分别设置在第一电极和第二电极上;中间层,设置在堤图案上;多个发光元件,设置在沿着与一个方向交叉的另一方向相邻的两个中间层之间;第一接触电极,设置在两个相邻的中间层中的一个中间层上,并且连接到所述多个发光元件中的每个的两端中的一端;以及第二接触电极,设置在两个相邻的中间层中的剩余中间层上,并且连接到所述多个发光元件中的每个的两端中的剩余端。
在本公开的实施例中,中间层可以包括绝缘材料。
在本公开的实施例中,中间层可以是其中至少三个或更多个双层顺序地堆叠的多层,双层通过堆叠第一无机绝缘层和第二无机绝缘层而形成。这里,第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的折射率可以彼此不同。
在本公开的实施例中,第一接触电极和第二接触电极中的一个接触电极可以电连接到晶体管,并且剩余接触电极可以电连接到驱动电压线。
在本公开的实施例中,第一电极和第二电极可以设置在同一层,或者可以设置在不同的层。
在本公开的实施例中,第一电极和第二电极中的每个可以在一个方向上延伸,并且可以针对与像素定位在同一像素列中的相邻的像素公共地设置。
在本公开的实施例中,中间层可以包括导电材料。
在本公开的实施例中,一个中间层可以设置在像素中,并且剩余中间层可以针对像素和相邻的像素公共地设置。
在本公开的实施例中,像素还可以包括设置在第一电极和第二电极与堤图案之间的绝缘层。
在本公开的实施例中,一个中间层与第一电极和第二电极中的一个电极以及置于一个中间层与一个电极之间的绝缘层和与一个电极对应的堤图案可以形成电容器。另外,剩余中间层与第一电极和第二电极中的剩余电极以及置于剩余中间层与剩余电极之间的绝缘层和与剩余电极对应的堤图案可以形成电容器。
在本公开的实施例中,像素还可以包括设置在绝缘层上、沿着一个方向延伸并且彼此间隔开的第一子电极和第二子电极。这里,第一子电极可以与第一电极叠置,并且第二子电极可以与第二电极叠置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的