[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

基板保持件，其保持基板；

反应管，其在内部收纳所述基板保持件；

加热部，其配置在所述反应管的周围；以及

收纳部，其构成为能够收纳气体供给喷嘴和第一温度测定部中的任一方或双方，该气体供给喷嘴配置在所述反应管的侧方，且配置为从所述反应管的外侧朝向所述反应管的内部相对于所述基板保持件所保持的所述基板的表面在水平方向上延伸，该第一温度测定部配置为从所述反应管的外侧朝向所述反应管的内部相对于所述基板保持件所保持的所述基板的表面在水平方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述收纳部构成为收纳多个气体供给喷嘴。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板保持件构成为保持多个所述基板，

所述收纳部以使得所述多个气体供给喷嘴的高度方向的位置位于所述基板保持件所保持的多个所述基板之间的方式进行收纳。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备第二温度测定部，该第二温度测定部固定于所述反应管的内部并对所述反应管的内部的温度进行测定，

所述第一温度测定部以能够装卸的方式收纳于所述收纳部。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述加热部具有多个区域加热器，所述第二温度测定部具有与所述多个区域加热器各自的高度对应的多个温度传感器。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一温度测定部在与所述多个区域加热器各自的高度对应的位置收纳于所述收纳部。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述加热部具有多个区域加热器，

所述第一温度测定部收纳于所述收纳部的与所述多个区域加热器对应的位置，且在与所述多个区域加热器对应的位置具有多个温度传感器。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一温度测定部同时测量与所述多个区域加热器对应的多个位置的温度。

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

还具有控制器，所述控制器基于由所述第一温度测定部测量的与所述多个区域加热器对应的位置的多个点的温度分布的数据，对所述加热部的所述多个区域加热器进行控制。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备对所述基板保持件进行旋转驱动的旋转驱动部，

所述控制器基于由所述第一温度测定部测量的与所述多个区域加热器对应的位置的多个点的温度分布的数据，对所述旋转驱动部进行控制，从而调整所述基板保持件的旋转速度。

11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备对气体供给喷嘴进行加热的气体供给喷嘴加热部，

所述控制器基于由所述第一温度测定部测量的与所述多个区域加热器对应的位置的所述多个点的温度分布的数据，对所述气体供给喷嘴加热部进行控制，从而控制从所述气体供给喷嘴向所述反应管的内部供给的气体的加热温度。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述收纳部的收纳所述气体供给喷嘴的部分与收纳所述第一温度测定部的部分是共同的部分。

13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述反应管在内部具备内管，在所述内管的内部收纳所述基板保持件，在所述内管以与所述气体供给喷嘴的前端部分对置的方式形成有孔，该孔将从所述收纳部收纳的所述气体供给喷嘴向所述反应管的内部供给的气体导入所述内管的内部。