[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质

说明书

本发明提供一种基板处理装置，其具备：基板保持件，其保持基板；反应管，其在内部收纳基板保持件；加热部，其配置在反应管的周围和上部；以及收纳部，其构成为能够收纳气体供给喷嘴和第一温度测定部中的任一方或双方，该气体供给喷嘴配置在反应管的侧方，且配置为从反应管的外侧朝向反应管的内部相对于基板保持件所保持的基板的表面在水平方向上延伸，该第一温度测定部配置为从反应管的外侧朝向反应管的内部相对于基板保持件所保持的基板的表面在水平方向上延伸，基板处理装置能够对基板保持件所保持的基板均一地进行成膜处理。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。

背景技术

作为现有技术，记载有一种热壁型热处理装置，其具备：对晶圆进行处理的处理室；在处理室外设置，并对处理室进行加热的加热器；对处理室的温度进行测定的热电偶；以及基于热电偶的测温对加热器进行反馈控制的控制器。例如记载于专利文献1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006—173531号公报

发明内容

发明所要解决的课题

关于专利文献1记载的结构，其无法准确地测定基板附近的温度，难以提高基板的处理均一性。

为了解决上述现有技术课题，本公开提供一种能够使基板的处理均一性提高的技术。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，在本公开的一实施方式中，提供一种技术，具备：

基板保持件，其保持基板；

反应管，其在内部收纳所述基板保持件；

加热部，其配置在所述反应管的周围；以及

收纳部，其构成为能够收纳气体供给喷嘴和第一温度测定部中的任一方或双方，该气体供给喷嘴配置在所述反应管的侧方，且配置为从所述反应管的外侧朝向所述反应管的内部相对于所述基板保持件所保持的所述基板的表面在水平方向上延伸，该第一温度测定部配置为从所述反应管的外侧朝向所述反应管的内部相对于所述基板保持件所保持的所述基板的表面在水平方向上延伸。

发明的效果

根据本公开，能够提高基板的处理均一性。

附图说明

图1是表示本公开第一实施例的基板处理装置的主要部分结构的剖视图。

图2是表示本公开第一实施例的基板处理装置的气体供给部的结构的图1的A-A剖面向视图。

图3是表示将本公开第一实施例的基板处理装置的气体供给部插入于内管的状态且示出图2的B部详情的剖视图。

图4是表示将本公开第一实施例的基板处理装置的气体供给部插入于内管并装设有螺母的状态且示出图2的B部详情的剖视图。

图5是表示本公开第一实施例的基板处理装置的主要部分结构且示出将气体供给部的一部分替换为温度测量部的状态的剖视图。

图6是表示本公开第一实施例的基板处理装置的温度测量部的结构的剖视图。

图7是将本公开第一实施例的基板处理装置的温度测量部的图6所示C部详情放大表示的剖视图。

图8是表示利用本公开第一实施例的基板处理装置中设置的多个温度测量部测量得到的水平方向与温度的关系的图表。

图9是表示根据利用本公开第一实施例的基板处理装置中设置的多个温度测量部测量得到的水平方向与温度的关系而得到的水平方向和高度方向的温度分布的图表。