[发明专利]切割带用基材膜在审
| 申请号： | 202080089245.X | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN114868230A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 石本享之;味口阳介;小野仁美;杉山齐 | 申请（专利权）人： | 日本他喜龙希爱株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C08L23/04;C08L23/10;C08L55/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李雪;姚开丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 基材 | ||
1.一种切割带用基材膜，其包含聚乙烯类树脂和聚丙烯类树脂，其特征在于：
所述切割带用基材膜的在100℃下的储能模量为20MPa以上200MPa以下，在110℃下的储能模量为10MPa以上170MPa以下，在120℃下的储能模量为5MPa以上140MPa以下，
MD上的应力(100％伸长时)为5MPa以上且小于20MPa。
2.根据权利要求1所述的切割带用基材膜，其特征在于：
TD上的应力(100％伸长时)为5MPa以上且小于20MPa。
3.根据权利要求2所述的切割带用基材膜，其特征在于：
所述MD上的应力(100％伸长时)与所述TD上的应力(100％伸长时)之差的绝对值为2MPa以下。
4.根据权利要求1到3中任一项权利要求所述的切割带用基材膜，其特征在于：
所述切割带用基材膜包含：
线性低密度聚乙烯；以及
与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯或者将丙烯单独聚合而成的均聚聚丙烯。
5.根据权利要求4所述的切割带用基材膜，其特征在于：
所述线性低密度聚乙烯与所述嵌段聚丙烯的质量比为，线性低密度聚乙烯：嵌段聚丙烯＝30：70～90：10。
6.根据权利要求4所述的切割带用基材膜，其特征在于：
所述线性低密度聚乙烯与所述均聚聚丙烯的质量比为，线性低密度聚乙烯：均聚聚丙烯＝30：70～90：10。
7.根据权利要求4到6中任一项权利要求所述的切割带用基材膜，其特征在于：
所述线性低密度聚乙烯的熔体质量流动速率为1.0～6.0g/10分钟以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
