[发明专利]切割带用基材膜

说明书

切割带用基材膜含有聚乙烯类树脂和聚丙烯类树脂，100℃下的储能模量为20MPa以上200MPa以下，110℃下的储能模量为10MPa以上170MPa以下，120℃下的储能模量为5MPa以上140MPa以下，MD上的应力(100％伸长时)为5MPa以上且小于20MPa。

技术领域

本发明涉及一种切割带用基材膜(以下，有时简称为“基材膜”)。

背景技术

例如，广泛使用如下方法作为IC芯片等半导体器件的制造方法，该方法如下：在晶圆(wafer)用的切割带(Dicing Tape)上通过切割而将在呈大致圆板形状的半导体晶圆上形成有电路的晶圆电路分割，从而得到单个半导体器件。而且，在切割后，例如，拉伸切割带而在半导体器件间形成了间隙(即，扩膜(expand))后，用机器人等拾取各半导体器件。

切割带通常由固定晶圆的粘合层和含有聚烯烃等的基材膜构成。作为该基材膜，例如提出了一种将由粒状的热塑性丙烯酸类树脂成型而成的层和由聚乙烯类树脂形成的层层叠而成的基材膜，上述由热塑性丙烯酸类树脂成型而成的层由芯层和壳层构成，上述芯层由软质的丙烯酸酯类树脂形成，上述壳层由半硬质或硬质的甲基丙烯酸酯类树脂形成(参照专利文献1)。另外，提出了一种将由乙烯-甲基丙烯酸共聚物树脂形成的外层和由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂等形成的内层层叠而成的基材膜(参照专利文献2)。另外，例如提出了一种在一个面上具备粘合剂层、且由聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺等形成的基材膜，其中，基材的与粘合剂层相反一侧的最外层表面相对于SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50％的条件下小于10.0N。并且，记载了在具备该基材膜的切割带中，能够实现在纵向和横向上均匀的扩膜(参照专利文献3)。

专利文献1：日本专利公报第4643134号公报

专利文献2：日本专利公报第5568428号公报

专利文献3：日本专利公报第6211771号公报

发明内容

－发明要解决的技术问题－

但是，在上述专利文献1～2中记载的基材膜中使用的是聚乙烯类树脂，然而由于使用熔点低的树脂，因此在高温下产生热变形，从而存在缺乏耐热性的问题。

另外，在上述专利文献3中记载的具备基材膜的切割带中，存在下述的问题，即由于树脂的取向，基材膜的机械轴(长度)方向(以下、称为“MD”。)上的应力明显增加，因此基材膜的柔软性(扩膜性)就不充分。

于是，本发明正是为解决上述技术问题而完成的，其目的在于：提供一种能够兼具耐热性和柔软性的切割带用基材膜。

－用以解决技术问题的技术方案－

为了达到上述目的，本发明的切割带用基材膜是含有聚乙烯类树脂和聚丙烯类树脂的切割带用基材膜，其特征在于：该切割带用基材膜的在100℃下的储能模量为20MPa以上200MPa以下，在110℃下的储能模量为10MPa以上170MPa以下，在120℃下的储能模量为5MPa以上140MPa以下，MD上的应力(100％伸长时)为5MPa以上且小于20MPa。

－发明的效果－

根据本发明，能够提供耐热性和柔软性均优异的切割带用基材膜。

具体实施方式

下面，对本发明的切割带用基材膜进行具体说明。需要说明的是，本发明并不限定于以下的实施方式，在不改变本发明的主旨的范围内，能够进行适当的变更后应用。

本发明的基材膜是含有聚乙烯类树脂和聚丙烯类树脂的切割带用基材膜。更具体而言，本发明的基材膜例如是由聚烯烃类树脂形成的膜，并包含：由线性低密度聚乙烯；以及与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯(以下，有时简称为“嵌段聚丙烯”。)或者将丙烯单独聚合而成的均聚聚丙烯(以下，有时简称为“均聚聚丙烯”。)。