[发明专利]氮化硼粒子、导热材料形成用组合物、导热材料、导热片及带导热层的器件在审
申请号: | 202080089262.3 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN114867684A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 中道明希;北村拓也;斋藤健吾;村井大午 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064;C08L61/06;C08L101/00;C08L63/00;C08K3/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志楠;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 粒子 导热 材料 形成 组合 器件 | ||
本发明提供一种能够用于制作导热性及剥离强度优异的导热材料的氮化硼粒子。并且,提供一种关于上述氮化硼粒子的、导热材料形成用组合物、导热材料、导热片及带导热层的器件。本发明的氮化硼粒子通过X射线光电子能谱分析检测出的表面的氧原子浓度相对于硼原子浓度的原子浓度比为0.12以上,并且,由下述式(1)求出的D值为0.010以下。式(1):D值=B(OH)3(002)/BN(002),B(OH)3(002):源自通过X射线衍射测定的具有三斜晶系空间群的氢氧化硼的(002)面的峰值强度;BN(002):源自通过X射线衍射测定的具有六方晶系空间群的氮化硼的(002)面的峰值强度。
技术领域
本发明涉及一种氮化硼粒子、导热材料形成用组合物、导热材料、导热片及带导热层的器件。
背景技术
近年来,个人计算机、普通家用电器及汽车等各种电子设备中所使用的功率半导体器件迅速地向小型化发展。随着小型化变得难以控制从高密度化的功率半导体器件产生的热量。
为了应对这种问题,使用促进从功率半导体器件散热的导热材料。
并且,为了提高这种导热材料的导热材料,有时使用氮化硼粒子。
例如,专利文献1公开了“一种填料,其特征在于在氧化气氛中加热氮化硼以增加1重量%以上且40重量%以下的重量(权利要求1)”。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平09-012771号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人等对专利文献1中记载的使用了氮化硼的导热材料进行了研究,发现主要在导热性方面存在改善的余地。
并且,还要求导热材料在粘附到传递热的对象物(被粘合材料)时具有足够高的剥离强度。
因此,本发明的课题在于提供一种能够用于制作导热性及剥离强度优异的导热材料的氮化硼粒子。并且,课题还在于提供一种关于上述氮化硼粒子的、导热材料形成用组合物、导热材料、导热片及带导热层的器件。
用于解决技术课题的手段
为了解决上述问题,本发明人等进行了深入研究的结果,发现了通过以下结构能够解决上述问题。
〔1〕
一种氮化硼粒子,通过X射线光电子能谱分析检测出的表面的氧原子浓度相对于硼原子浓度的原子浓度比为0.12以上,并且,
由下述式(1)求出的D值为0.010以下,
式(1):D值=B(OH)3(002)/BN(002)
B(OH)3(002):源自通过X射线衍射测定的具有三斜晶系空间群的氢氧化硼的(002)面的峰值强度
BN(002):源自通过X射线衍射测定的具有六方晶系空间群的氮化硼的(002)面的峰值强度
〔2〕
根据〔1〕所述的氮化硼粒子,其中,上述D值为0.005以下。
〔3〕
根据〔1〕或〔2〕所述的氮化硼粒子,其中,上述原子浓度比为0.15以上。
〔4〕
根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的氮化硼粒子,其中,上述原子浓度比为0.25以下。
〔5〕
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