[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

反应管，其容纳基板；

喷嘴容纳部，其在上述反应管的侧方沿与上述基板的表面平行的方向延伸配置；

气体供给喷嘴，其插入上述喷嘴容纳部的内部，且从上述反应管的外侧延伸至上述反应管的内部；以及

第一气体供给部，其向上述气体供给喷嘴供给第一气体。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

具有在上述反应管的外侧向上述喷嘴容纳部与上述气体供给喷嘴之间供给第二气体的第二气体供给部。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述反应管在内部具有内管，

在上述内管的壁面上，在与延伸至上述反应管的内部的上述气体供给喷嘴的前端部分对置的位置具有开口。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述内管的与形成有上述开口的壁面对置的壁面形成有狭缝状的开口。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述反应管在内部具有内管，

延伸至上述反应管的内部的上述气体供给喷嘴的前端部分插入形成于上述内管的壁面的孔。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述反应管在内部具有内管，

上述基板处理装置具有向上述反应管与上述内管之间供给第二气体的第二气体供给部。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备覆盖上述反应管的周围的加热器，

上述喷嘴容纳部在上述反应管的侧方沿与上述基板的表面平行的方向贯通上述加热器。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

具有第二气体供给部，该第二气体供给部在上述反应管的内部具有供给管，该供给管沿着以预定的间隔容纳于上述反应管的多个上述基板在上下方向上延伸，且在与多个上述气体供给喷嘴对应的位置形成有用于放出第二气体的孔。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

上述反应管在内部具有内管，上述供给管配置于上述反应管与上述内管之间。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述气体供给喷嘴配置有多个，

上述喷嘴容纳部构成为将配置有多个的上述气体供给喷嘴的每一个个别地容纳。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述气体供给喷嘴配置有多个，

上述喷嘴容纳部构成为容纳配置有多个的上述气体供给喷嘴。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

将基板容纳于反应管的内部；以及

具有在上述反应管的侧方沿与上述基板的表面平行的方向延伸配置的喷嘴容纳部，从插入上述喷嘴容纳部的内部并从上述反应管的外侧延伸至上述反应管的内部的气体供给喷嘴向上述基板供给第一气体。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在供给上述第一气体的工序中，同时进行：从上述气体供给喷嘴向上述反应管的内部供给原料气体或反应气体；以及向上述气体供给喷嘴的前端部的附近供给惰性气体。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在向上述反应管的内部供给气体的工序中，从与向上述反应管的内部供给上述原料气体或上述反应气体的上述气体供给喷嘴同轴的方向向上述气体供给喷嘴的前端部的附近供给上述惰性气体。